16 KB596 KB15 KB199219991995Budnar, MilošCvelbar, AndrejDražić, GoranNavinšek, BorisPanjan, PeterPelicon, PrimožRemškar, MajaZalar, AntonZorko, Benjaminštevilka:1/2letnik:294 stranistr. 309-312COBISSID:12514ISSN:1318-0010URN:URN:NBN:SI:doc-2H7FNV99slInštitut za kovinske materiale in tehnologijeŽelezarna JeseniceŽelezarna RavneŽelezarna ŠtoreKovine zlitine tehnologijefizika trdne snovireakcijetanke plastivečplastne struktureŠtudij reakcij v večplastnih strukturah|The results of investigation of Ni/Si, Ti/Si, Ni/Al, Mo/Si and Cr/Si, prepared by sputter deposition, were presented. Silicon wafer (100) and polished ceramics (?$R_a$? = 25 nm) were used as substrates. The samples were heated up in a tube furnace with an argon gas flow up to the temperature of 750°C. By means of X-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), Auger electron spectroscopy (AES), cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and in-situ electrical resistivity, the kinetics of phases formation were determinedV prispevku so predstavljeni rezultati meritev na večplastnih strukturah Ni/Si,Ti/Si, Mo/Si in Ni/Cr/Si, ki smo jih pripravili z naprševanjem. Za podlage smo uporabili silicijeve rezine (100) in visoko polirano keramiko. Vzorce smo segrevali v cevni peči, v inertni atmosferi od sobne temperature do 750°C. Kinetiko rasti posameznih faz na mejah tankih plasti smo med samim segrevanjem zasledovali (in situ) z merjenjem električne upornosti, po segrevanju na izbrano temperaturo, pa smo vzorce analizirali z Augerjevo elektronsko spektroskopijo (AES), rentgenskim uklonom (XRD), Rutherfordovo spektroskopijo povratno sipanih ionov (RBS) in presevno elektronsko mikroskopijo (XTEM)TEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaInštitut za kovinske materiale in tehnologije