URN:NBN:SI:DOC-9JI8BNOX2013Danković, DanijelDavidović, VojkanDjorić-Veljković, SnežanaGolubović, SnežanaManić, IvicaPrijić, AnetaPrijić, ZoranStojadinović, Ninoslavdocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9JI8BNOX_001.pdfdocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9JI8BNOX_001.txt143articlestr. 58-660352-904510539348URN:NBN:SI:doc-9JI8BNOXengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCMOSFETNBTItemperaturna nestabilnosttranzistorjiVDMOSFETživljenjska dobaEffects of static and pulsed negative bias temperature stressing on lifetime in p-channel power VDMOSFETsVpliv statičnega in pulznega negativnega temperaturnega stresa na življenjske čase v kanalu p močnostnih VDMOSFET-ov