URN:NBN:SI:DOC-9TL3Q5ZU2002De Roest, DavidMaex, KarenNauwelaers, BartStucchi, M...Ymeri, Hasandocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9TL3Q5ZU_001.pdfdocuments/doc/9/URN_NBN_SI_doc-9TL3Q5ZU_001.txt232articlestr. 79-810352-90453371092URN:NBN:SI:doc-9TL3Q5ZUengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCinduktivnostintegrirana vezjamikroelektronikapolprevodnikiVLSI vezjaApproximate analytical modeling of silicon internal inductance of VLSI interconnectsPribližno analitično modeliranje notranje induktivnosti VLSI povezav na siliciju