URN:NBN:SI:DOC-EGXLCILB2017Arshad, Mohd Khairuddin MdFathil, M. F. M.Gopinath, Subash C. B.Hashim, U.See, J. H.Voon, C. H.documents/doc/E/URN_NBN_SI_doc-EGXLCILB_001.pdfdocuments/doc/E/URN_NBN_SI_doc-EGXLCILB_001.txt147articlestr. 24-310352-904512052820URN:NBN:SI:doc-EGXLCILBengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCbreakdown voltageforward voltagemočnostne napravepower deviceprevodna napetostzaporna napetostDOE study of epitaxial layer thickness and resistivity effects on P-i-N diode for beyond 300 V of reverse voltage applicationsNačrtovanje eksperimenta vplivov debeline in upornosti epitaksijske plasti P-i-N diode pri reverznih napetostih nad 300 V