1469 KB27 KB198520252017Arshad, Mohd Khairuddin MdFathil, M. F. M.Gopinath, Subash C. B.Hashim, U.See, J. H.Voon, C. H.številka:1letnik:47str. 24-31ISSN:0352-9045COBISSID_HOST:12052820URN:URN:NBN:SI:doc-EGXLCILBenStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMbreakdown voltageforward voltagemočnostne napravepower deviceprevodna napetostzaporna napetostDOE study of epitaxial layer thickness and resistivity effects on P-i-N diode for beyond 300 V of reverse voltage applications| Načrtovanje eksperimenta vplivov debeline in upornosti epitaksijske plasti P-i-N diode pri reverznih napetostih nad 300 V|TEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale