13 KB524 KB12 KB199219991995Cvelbar, AndrejGodec, MatjažNavinšek, BorisPanjan, PeterZalar, Antonštevilka:1/2letnik:294 stranistr. 315-318ISSN:1318-0010COBISSID:17108741URN:URN:NBN:SI:doc-RB1PYV24slInštitut za kovinske materiale in tehnologijeŽelezarna JeseniceŽelezarna RavneŽelezarna ŠtoreKovine zlitine tehnologijemikroelektronikasilicidivečlpastne struktureŠtudij rasti titanovega silicida|The silicides have been a topic of intensive research last ten years due to their frequent applications in integrated circuits. Among them, ?$TiSi_2$? with low resistivity, high stability and self-aligning properties, seems to be the most important. The models to predict first phase and subsequent sequence of phase formation in Si-Ti system are presented. A study of titanium silicide growth in a case of multilayer structure is shown. The silicide phase formation was monitored by in-situ resistivity measurements, cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM), Auger electron spectroscopy (AES) depth profiling and the X-ray diffraction techniqueSilicidi so zadnjih deset let tema intenzivnih raziskav, predvsem zaradi vse pogostejše uporabe v integriranih vezjih. Med njimi je najpomembnejši ?$TiSi_2$? zaradi nizke električne upornosti, velike stabilnosti in kompatibilnosti s procesom izdelave integriranih vezij. Predstavljeni so modeli napovedovanja nastanka prve faze oziroma zaporedja nastanka faz pri pregrevanju Si-Ti sistema. Na primeru večplastne strukture je prikazan študij rasti titanovega silicida. Nastanek posameznih silicidnih faz smo zasledovali z in-situ meritvijo upornosti, s presevno elektronsko mikroskopijo prerezov (XTEM), z rentgensko difraktografijo in z Augerjevo profilno analizoTEXTznanstveno časopisjejournalsSlovenian National E-content AggregatorNational and University Library of SloveniaInštitut za kovinske materiale in tehnologije