URN:NBN:SI:DOC-Z6PAWFVJ2014Danković, DanijelManić, IvicaPrijić, AnetaStojadinović, Ninoslavdocuments/doc/Z/URN_NBN_SI_doc-Z6PAWFVJ_001.pdfdocuments/doc/Z/URN_NBN_SI_doc-Z6PAWFVJ_001.txt444articlestr. 280-2870352-9045280537600URN:NBN:SI:doc-Z6PAWFVJengStrokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materialeInformacije MIDEMInCmeritvemikroelektronikaNBTItranzistorjiVDMOSFETMeasurement of NBTI degradation in p-channel power VDMOSFETsMeritev NBTI degradacije v p-kanalu močnostnega VDMOSFETa