Za tanke plasti (Pb, La)(Zr,Ti)?$O_3$? na silicijevi podlagi s platinsko elektrodo je značilna kristalizacija v stabilno perovskitno fazo pri relativno visokih temperaturah, pri katerih naletimo na problem ohranjanja stehiometrije tanke plasti zaradi odparevanja svinčevega oksida. Da bi znižali temperaturo kristalizacije trdne raztopine ?$Pb_{1-3x/2}La_xZr{0,65}Ti_{0,35}O_3$?, x=0,095 (PLZT), smo uporabili nukleacijsko plast svinčevega titanata (Pt). V delu poročamo o peteku kristalizacije tankih plasti PLZT na različno pripravljenih nukleacijskih plasteh PT na podlagah ?$TiO_2/Pt/TiO_2/SiO_2/Si$? in ?$Pt/TiO_2/Si$?. Plast Pt zniža temperaturo nukleacije PLZT vsaj na 400°C, vendar je za popolno kristalizacijo potrebno povišanje temperature na 450°C.
Nadaljuje se kot: Materiali in tehnologije

Pravice

URN

URN:NBN:SI:doc-SP8D22P7

COBISSID

85418

Objavljeno

13.05.2010

Metapodatki

Citiranje

APA:

Mandeljc, Mira, Kosec, Marija, Malič, Barbara (1998). Vpliv nukleacijske plasti svinčevega titanata na kristalizacijo tankih plasti PLZT, pripravljenih iz raztopin. Kovine zlitine tehnologije, letnik 32, številka 5, str. 359-362. URN:NBN:SI:doc-SP8D22P7 from http://www.dlib.si

MLA:

Mandeljc, Mira, Kosec, Marija, Malič, Barbara. "Vpliv nukleacijske plasti svinčevega titanata na kristalizacijo tankih plasti PLZT, pripravljenih iz raztopin." Kovine zlitine tehnologije letnik 32. številka 5 (1998) str. 359-362.
<http://www.dlib.si/?URN=URN:NBN:SI:doc-SP8D22P7>

Kovine zlitine tehnologije
1992-1999
(Zbirni zapis)

Vpliv nukleacijske plasti svinčevega titanata na kristalizacijo tankih plasti PLZT, pripravljenih iz raztopinEffect of PbTiO3 seeding layer on the crystallization of chemical solution deposition derived PLTZ thin films

Vpliv nukleacijske plasti svinčevega titanata na kristalizacijo tankih plasti PLZT, pripravljenih iz raztopin
Effect of PbTiO3 seeding layer on the crystallization of chemical solution deposition derived PLTZ thin films