PREGLED METOD ZA PRIPRAVO TRDIH PREVLEK Peter Panjan in Boris Navinšek, Institut "Jožet Stefan" Jamova 39, 61111 Ljubljana Review of vapour-phase coating processes for hard coatings ABSTRACT Hard coatings con oe cteposiled by 3 l^ge voneiy of i^chniqu^s Qerporaiy ihey c^ divided in ihre« groucis C^emicol Vapour □«tcsilicr (CVD), Plasma As&iotea Chemical Vapojr Deposncn (PACVD) and Ftiysical Vooout Depositen (PVO) The bas< 0» th^e techniques, a comoe«ison inOrvKJuO) technologies, (heirpo&sibnlili©«, advantages ar>d Imitstic'^s o lahko razdelimo v ttiskucne kemi|äk0dep02C|0 iz D>imefa2S iCVD) kerrujsko depoac^o iz pame taze v prisotnosti p«a?rrie (PACVD) m fiakalrw (vakuumsko) (Jepozvcijo iz parne ta?e 2 parne faze (Chemical Vapour Deposition - CVD) /1,2/ Postopek se Se danes uporablja za oplemenitenje rezalnih ploščic iz karbidne trdme s trdimi prevlekami TiN, TiC, TiCN, Al?03 in z večplastnimi strukturami na osnovi naštetih prevlek Bistvo postopkov CVD za pripravo trdih prevlek je kemijska reakcija med izbranimi plim na vroči podiagi (800 do 1100®C) Reakcija je lahko termični razkroj (piroliza), substitucija ali dvojna substitucija Klasičen primer dvojne substitucije je nanašanja plasti TiN po shemi TiCU * NH3 . ^/2H2-* TiN -h 4 HQI Tlak v reaktorski posodi je lahko atmosferski, ponavadi pa ie ne kol i ko znižan kernata način izboljšamo kvaliteto m uniformnost prevleke na podlagah z veliko površino Kvaliteta prevleke je odvisna ludi od čistosti površine podlage, kompatibilnosti prevleke m podlage termodi-namike m kmetike same reakcije Termodinamične količine ki jih lahko kontroliramo so temperatura podlage, celotni tlak indelnitlakireakfaniov Ravnotežni parni tlak pu izbrani temperaturi lahko izračunamo 12 proste energije za izbrano reakcijo CVD postopek nanašanja prevlek je zaporedje naslednjih procesov (1) upaniev snovi, ki so potrebne za reakcip (2) transport plina dO podlag (3) aosorpoijo, (4) razgradnja adsorbirane faze (S) nanašanje prevleke izbranega maienala m desorpcija phnskih produktov ki med reakcijo naslanejo, m (6) odstranitev teh plinov iz reaktorja 1, 2 m 6 so transportni procesi, 2 3 4 m Spareakcijenapovr^mi podlage Trans porini procesi SO v splošnem odvisni od koncentracije reakiantov difuzijoke hitrosti pretoka pimov in geometnie reaktorja Hitrosti reakcij na površini pa so odvisne predvsem ofl koncentracije reakiantov m temperature Mikrostruktura CVD prevlek je odvisna od temperature podlage m pre nasičenosti pate snovi Pn nižjih tempera lurah imajo pievleke amorfno strukturo 2 naraDčaK>čo lemperaturo podlage pa nastajajo najprej finozrnate poliknstalne plasti naio grot>ozrnate poiiknstaine den or^tne, pr dovolj visokih temperaturah pa rastejo epifak sno Vpliv pre nasičenost I na mi krosi rukturo prevlek je ravno obraten Reakcije potekajo v termodinamičnem ravnotežju kar olajša pridobivanje spojin v stehlometnčnem razmerju Prednosti postopkov CVD nanašanja piaot« sta tudi razmnroma preprosta reaktorska posoda tn enostavna kontroij postopka Poglavitne slabosti postopkov CVD SI*: vi'.cka temperatura rann^anja ter omejena izbira kemij^^kin reakcij v plinski lazi ki so primerne za pripravo tidih prLvick Tudi nckater^ stranski produkti reakcij so nozazeleni (npr HCi) kenahko poškodujejo podlago m ker r;n izpu^'.n, phn; ekološko nesprejemljivi Kot izhodnp snov nam v vecini primerov rabijo hcilogcnidi prehodnih elementov ki pa so hlapljive spojir^e 7f^io obculijive na vlago in deioz njimi zahteva posebne varnostne ukrepe Zaradi visoko temperature nanašanja so se postopki CVD dolgo uporab'jaii le za zaSč^lo oroOij iz karoione trdine Šele pred nekaj leti so bili razviti postopki ki potekajo v plazmi (Plasma Assisted Chemical Vapour Deposit'on PACVO)/3,4 56 78/ o plazemsko akti vacifo reakcijskih plinov se temperatura, potrebna za potek kemijske reakcije znižanaSSO^CzaTiCoz 300^ za TiN m TiCN Razelektritev v reaktorju dosežemo, če tlak plinske mešanice znižamo na nekaj mbar vzbudimo pa jO lahko na več načinov (a) 2 negativno elektrodo ki se nanaja v posod« nasproti podlagam, (b) z indukcijsko tuljavo ki JO vzbujamo z visoko frekvenco, (c) s kapaci-tivmm vzbujanjem m (d) 2 mikrovalovnim vzbujanjem Način vzbujanja plazme izberemo glede na geometrijo podlog ir^ rcaklorja Plazmo zgoattmo ah jo usmerimo proti podlagam z magnetnim poljem Največjo gostoto plazme dosežemo z mikrovalovnim vzbujanjem, slaba stran postopka pa je visoka cena mikrovalovnega generatorja V zadnjih teli h so raziskovalci nevarne halog ende nadomestili s kovino-organskim I spojinami (govo'imoo'Welal Organic Chemical Vapour Deposition - MOCVD" postopku) /9/ Kovino-organske spojine lahko pripravimo skoraj za vse kovinske elemente, vendar pa fc ccna teh spojin visoka Slaba stran postopka je tudi neizogibna prisotnost ogljika {m v nekaterih primerih kisika) v plasti 3 Fizikalni (vakuumski) postopki nanašanja Konec seOemaesetih let je raivoj tiaikaimh (vakuumskih) postopkov nanašanja (Physical Vapour Deposition -FVD) omogočil nanašanje prevlek TjN na orodja iz hitroreznih jekel pri temperaturah pod 500'C, I j pri temperaturi, ki je nižja od temperature popuščanja teh jekel /10It/ Ta zahteva je bistvena, saj se na ta način izognemo popuščanju jekla in izgubi dimenzijskih toleranc Osnova vseh postopkov PvO nanašanja trdih prevlek sta reaktivno naparevanje m naprsevanje ob prisotnosti plazme, s katero aklo/iramo (disocnramo, vzbudimo ali ioniziramo) atome tarče, reaktivnega plina oz. inertnega plma. Govonmo o aktiviranem reaktivnem nanaSanju (Activated Reactcve Physical Vapour (Deposition «ARPVD) Podlage (orodja) so na negativnem elek tnčnem potencialu (bias-u), ki nastale lone pospoSi na povrSmo »astočo plasti Tak postopek nanašanja se imenuje ionsko prekrivanje {Ion Plating - IP)/12,13,14/ Bistvo ionskega prekrivanja je torej obstreljevanje rastoče plasti z lom 12 plazme Plazma je v nekaterih sistemih že prisolna (naprsevanjo, naparcvanjc s katodnim lokom), medtem ko io moramo pri drugih ustvariti (enostavno ionsko prekrivanje). Odločtina je gostota plazme, energija pa mora bili dovolj velika, da pndc do vzbujanja m lonizacije prisotnih nevtralnih atomov oz iT>olekul, vendar pa ne prevelika, ker lahko loni z veliko energiiopoškodujejoplasi/15/ izmedriačinovvzbuianja plazme le najstarejSi postc^ek, ti »stosmema razelektritev med dvema elektrodama, komajda zadosten zato plazmo praviloma zgostimo z magnetnim poljem Zelo učinkovit pwstopek je vzbujanje plazme z mikrovaiovi (gostota ionov, ki jo dosežemo je do 10" lonov/cm^ /16/ Velik tehnični problem pa je, kako z mtkrovafovi ustvariti plazmo v veliki vakuumski posodi Pojem • reaktivni" postopek nanašanja (reaktivno na pare-vanje, reaktivno naprsevanje) pomeni, da tarčo čisto kovine ali zlitine izparevamo ali razprSujemo v atmosferi reaktivnega plma (npr dušika, acetilena, kisika) /17,18, 19,20,21/ Pri pravilno izbranih parametrih priprave raste na podlagi tanka plast ustrezne spojine (npr, TrN, CrN, TiC, ). Sestava m lastnosti plasti so odvisne od hitrosti razprsevanja razdalje med tarčo m podlago temperature podlage, tlaka argona m reaktivnega plma, gostote toka izparjenm oz razprSemh atomov tarče ter slopnje ionizacije argona, reaktivnega plma m izparjemh oz razpršenih atomov tarče /22,23.24,26,26/ Tak način priprave tankih plasti razhčnm spojm ima v primerjavi z nanašanjem iz kompozitne tarče več prednosti, (a) hitrost nanašanja je veliko večja, (b) cena tarče je veliko manjša, (c) toplotna prevodnost kovinske tarče je veliko večja, zato JO (pri naprševanju) laže hladimo Različni pwstopki ionskega prekrtvanja ki so danes v uporabi, se razlikujejo tako po načinu uparitve atomov tarče, kakor tudi po tem, kako. kje in v kolikšni meri izparjene kovinske atome, atome (molekule) reaktivnega plina in atome delovnega (inertnega) phna (argona) aktiviramo (t f disocnramo, vzbudimo ali ioniziramo) Postopek nanašanja trdih prevlek PVD poteka v treh korakih (a) upantvc atomov kovinske tarče, (b) trans porta atomov ah gruče atomov (nevtralnih m ornzkranih) na podlage, (c) kondenzacije curka atomov na podlagah m rast plastJ Atome tarče (»zvira) l^ko upanmo (a) s segrevanjem z elektronskim cutkom katodnim lokom ah laserjem (naparevanje) m (b) z obstreljevanjem larče z merlnimnoni (razprševanjo) - vsakvpadli lornibjje 12 tarče aoločeno Število atomov, Steviio razpršenih atomov je odvisno od vrste tarče ter od vrste, energije m vpadnega kota lonov Postopki uparrtve atomov izvira se razlikujejo (a) po encrgijf uparjenih atomov (pri naprSevanju je povprečna energija razpršenih atomov 1 lO eV, pn na-parevanju O 1 eV energija ior>ov pa je določena z električnim potencialom na podlagah - *bias-om" (-100 do -200 V), (b) po stopnji lonizacije izparjenih alomov (največja, t J >50%, jG pn nanašarkju s katodnim lokom) in (c) po hitrosti nanašanja (od 10 do 70 nm/min) Uparjeni alomi m molekule na hladnejSi podlagi se kon-denztrajo v oDhki tanke plasti /27/ Gonilna sila procesa je prosta energija kondenzacije (AGkonj ki je premoso-razmema logaritmu prenasičenosti P (P je razmerje tlaka Curka uparjenih atomov (pi) m ravnotežnega I laka (p?) pn temperatun kondenzacije tj lemperatun podlage To) iGkon®-RTp In P Za kmetiko kondenzacijc vakuumskih tankih plasti (PVD) pa je zelo pomembna količma tem peratura kondenzacije (tj temperatura podlage), vakuumske lanke plasti lahko nastanejo le pn ot^čutnl podhladitvi to jc pn razliki med tahSčem snovi ki jo nanašamo m temperaturo kondenzacije Ce sta torej izpolnjena osnovna termodinamska pogOja, se pričnejo aiomi m molekule uparjene snovi kondonziratJ na podlagi Procesi kt so pomembni v začetni'az» kondenzacije tj pti nukleacfji, so adsorpcija odparcvanje (desorpcija) m difuzija adsorbiranih alomov depozila po povrsmi podlage, tvorba slabitnih jeder jn njihova koales-cenca/28/ Atomi depozita ki priletijo nj podlago, imajo presežek kinetične energijo m se pn viSjih temperaturah podlage gibljejo po njem povfSiniah paznjeodparijo. Se preden pridejo do ugodnih mest za trajno adsorpcijo Taksna mesta so razne napake na povrsmi podlage aii večii skupki depozita, ki imajo zaradi večje rriase večjo desorpcijsko energijo Nukloacija tankih plasti je odvisna od razmerij naslednjih treh med atomski ti vezavnih energij, (a) izpantne energije snovi (Eizp) 12 katere nastane tanka plasf, preračunane na en atom (to fe energtja kemijske vezi med atomi te snovi), (b) aktivacijske enof-gije desortxije (Edes), posameznega atoma depozita s podlage, ki podaja energijo kemijske vezi med atomi depozita m atomi podlage, (c) aktivacijskeenergijedifuz ije (Eoit) oz selitve posameznega atoma depozita po povrSmi podlage Plasti rastejo otočkasto (Volmer-We-brov mehanizem), če so vozne sile med atomi m nx)leku-lami depozita veliko močnejše od veznih sil med temi atomi in atomi pjodlage in dvodimenzionalno (Frank-van der Merwejev mehanizem), če so slabše Na sliki 1 je shematsko prikazano nekaiznačilnth postopkov ionskega prekrivanja /29/ Pn t >. enostavnem ionskem prekrivanju kovinski atomi, ki izparevajo iz J^vira, ionizirajo pn prehodu skozi področje katodne plazme, ki jo ustvarimo posebej v ta namen Stopnja lonizacije -l-o L . — —e 12 O.-i . J Slika Shematični f>rifo naparevsnjt, 4 - ionsko preknvanje z voth anoäo. 5 - aktivirano reaktivno r^apareva'^/e z napetostjo na podlagah, 6 - ionsko prekr^anfe z lokom iz votla katode, 7 - f^f-akimrario tonsko prekrr^anfe. 8 ' letiodni s'stem za ionsko preknvanie, 9 • nanašanje s katodnim tokom, 10 - magnetronsko naprševanie, 11 • ionske mešanje 2 ionskim curkom, 12 - nanašanje z ionskim curkom kovinskih alomov je zelo majhna (Ol do 1 %} Kadar naparevamo 2 elektronsko puško, polem so vpadni elek-tfoni tisti, ki ionizirajo kovinske in dužikove atome, vervdar fe bistvena razlika rr>ed visoko- in nizkonapetostno elektronsko puško, ni^oenergijski eleklror^i močneje ionizirajo plin Dodalno razeleklriiev v sistemu lahko ustvarimo z RF (radiofreKvenčmm) generatorjem - govorimo o aktiviranem ionskem prekrivanju /30/ Visoko stopnjo lonizacije dosežemo, kadar izvir segrevamo z nizkonapetostnim {nekaj lOO V) in ^e^o močnim (100 A) elektronskim curkom /19,31/. Po tem principu deluje Balzersova naprava BAI 730 v Centru za trde prevleke v Domžalah, ki sem jo uporabil za pripravo nekaterih vzorcev s prevleko TiN Napravo odlikuje visoka stopnja lonizacije (2-5x10''^ lonov/cm^, tj. velika hitrost nanašanja {1-15 nm/s), vehka ponovljivost, visoka kvaliteta prevlek in fleksibilnost naprave Atome kovinske tarče lahko uparimo tudi z nizkonapetostnim in močnim kalodnim lokorrV32,30/ Itvirmalecjala je ena ali več katod, Z močno iskro, ki naključno potuje po površini katode. dobimo lokalno staljena področja z gosto kovinsko plazmo, iz katere izpareva material. Stopnja lonizacije je izjemno velika (od 30 do 100%) Slalia stran le metode pa je, do iz tarče poleg posamičnih atomov izpatovap tudi gruče alomov, zato je mikrostruk-tura lako pripravljenih plasti kapljičasta Ideja za uporabo točkastega katodnega loka za pripravo Irdih prevlek le priSla IZ bivše SSSR (ti "PUSK" sistem) Ucenco so odkupili ameriški podjetji MULTI-ARC m VAC-TEC ter INTERATOMiz f^emčije Pri magne'ronskth napravah /34,35/ za pripravo trdih prevlek je odličen aktrvacijski medij gosta plazma, ki je z magneti ostedinjena v bližini tarče Čeprav se magnelron-sko naprSevan^e že dolgo časa uporabita za prijavo dekorativnih prevlek na osnovi TiN m dtugih trdih prevlek ter difuzijskih zapor v miktoclcktroniki, pa se pn pnpravi trdih prevlek za zaščito orodij m uveljavilo V konvencion-alnih magnetronih je plazma zgoSčena v prostoru pred tarčo, zato |e gostota toka ionov na podlage majhna Take pripravljene plasti so zato preveč porozne, imajo slebričasto mikrostrukturo, pa tudi oprijemljivost na podlago je slaba Problem je bil reSen sele pred nekaj leti. ko je bil razvit t.i "unbalanced" magnctronski sistem /36,07.00/ Oistvo tega sistema je povečana yo&toia plazme v bližini podlag (orodt|), kar dosežemo z asimetrično namestitvijo permanentnih magnetov Ta izpopolnjena tehnika omogoča nanos gostih plasti, brez stebričaste mikrostrukture in z močno adhezijo na pod* lago Velika prednost magnelronskega naprsevarja je v možnosli enoslavne priprave večkomponetnih Irdih prevlek (npr. TiAlN). saj lahko za izvir uporabimo kar zlitino 2 ustrezno sestavo V praksi se uporabljajo tudi naprave, ki norrvesto visokonapetostne m nizkotokovne elektronske puške uporab» Ijajo nizkonapetostni ir visokotokovni izvir elektronov, ki ga po2narr>o pod imenom votla katcMja (hollow cathode) /39,40/ Stopnja on^zacije je lahko večja od 50% Komercialne naprave te vrste je razvilo japonska podjetje Ulvac Narejenih je bilo tudi več poskusov nanašanja trdih prevlek 2 laserjerr^ /41,42/ Za uspesno nanašanje potrebujemo npr pulzno delujoči XeCI (valovna dolžina 308 nm) ah ArF (193 nm) eksajmerski laser Potrebna gostota energije za naparevanje, npr TiN, je 4-5 J/crrr, čas trajanja enega pulza okrog 40 ns, število pulzov pa okrog 100 na sekundo Prednost priprave Irdih prevlek z laserskim curkom je nizka temperatura nanaSonja (<70^C), slabost pa predvsem majhna površina podlag, na katere lahko naneserr>o homogeno plast. Namesto razelektritve, ki zahteva relativno visok delovni tlak argona, so lahko izvir ionov ionske 'puSke" (ionski izvin s Širokim snopom) /43,44/ Obstreljevanje plasti z nizkoenetgijskimi ioni in nevtralnimi delci z veliko energijo (od nekaj eV do nekaj keV) zelo izboljša oprijemljivost m mikrostrukturo prevlek. Ionski curek pa lahko uporabimo tudi za naprSevanje prevlek Naprave za ionsko prekrivanje se raziikujep tudi po nači« nu segrevanja podlag (segrevamo lahko z elektroni, loni ali infra grelniki) m po načinu čiSčenja podlag pred nanosom prevleke (jedkanje z lom argona ali s kovinskimi atomi) 4 Sklepi Meja med kemijskimi m fizikalnimi {vakuumskimi) postopki narviSanja se je v zadnjem desetletju močno zabrisala Sestavni del kemijskih postopkov je poslala plazma medlem ko so osnova modemih tizikalmn metod vse bol I zapletene kemijske reakcije /45/ V tabeli 2 so izpisane bistvene lastnosti kemijskih, fizikalno-kemijskih in fizikalnih postopkov nanašanja trdih prevlek V labeli 3 pa je narejena primerjavo med fizikalnimi (vakuumskimi) postopki, ki temeljijo na naparevanju oz na naprševanju Tabela 2. ZnaCilae lastnosti kemijskih (CVO), fizikalno-kemijskih (PACVD) in fizikalnih (PVD) postopkov nanašanja trdih prevlek. CVD PACVD PVO/ARPVO Ulvxlne snovi hlapljiv haiogenid ali kovinoHirganske spojine, reaklvni m nevtralni plini iste kot pn CVD kovinska tarča ali eiekln>ja, reaktivni in nevtralni plim Tlak v reaktorju 60 Pa-0.1MPa 10-100 Pa 250-450^ 01-1 Pa lOTi[>eratura podlaga 600-1ÖOOX 2SC-4SÜX Hitrost nanašanja 0 2-3 ;jm/min 10-50 nm/min 20-80 nm/min Povprečna energija atomov oz. molekul temična termična pri naparevanju tennična (0.2 eV}. naprševanie: 1-10 eV Transport atoTDov od izbira do podlage laminami tok m diTurija laminarnilok in Oiluzija molekularni tok (prosta pot je pri naparevanju večja od razdalje izvir-podlaga. pn naprševanju pa manjša, zato atomi doživiio vei trkov z atomi plina) En akomemost nanosa plasti odlična dobra slaba, potrebno je vrtenje podlag okrog izvira ali uporaba več izvirov Predrwst'postopka nanaianje pri atm tlaku, kar ornogoca prekrivanje votlin (odprtin) v podlagah, enostavno spreminjanje sestave, velika nitHDst nanašanja, er^osiavno nizka cena naorave nizke temperature nanašanja, večia reaktivnost čistejše m gosteiše plasti nizke temperature nanašanja, "čista'metoda, možnost sinteze nesteiiHjmetfičnin spojin Slabe stiani postopka pogosto sCnjpene m na zraku neoostojne snovi. Ki jin potretxjjemo za siniezo. visoha temperatura nanašanja, nekompatibiinost s številnimi podiaglami, strupeni izpušni plim pogosto stnjpene m na zraku neobstojne snov», ki jUi potrebujemo za smtezo, strupeni izpušni plim dra^ napove za nanos, spreminjanje sestave prevlek je vezano na menjavo dragin tarč aii izvirov Tabela 3. Primerjava osnovnih fizikalnih lastnosti naparevanja in naprševanja Naparevanid Napreevanj« Uparitav atoma depozita 1 5 segrevanjem Z eieklronskim curkom, ttatMriim lokom ali lasenem 1 Ionsko obstreljevanje 2, Energija izpaiievnih atomov, E»0.i eV pri 1200K 2 Energijarazpršentialomov£=1'10cV 3, Hitiostnapar (MsW.TslSOOKinP^IO'^'^l 3^10*'at/crn^s 3 Hitros» naprševania (pn 1 mA/cm^ In Y « 2 at/Ion) =3x10'® at ,'cm s 4 Koma porazMUtev izpa;)Bniti abrTH)v je kosiniisna 4, Pri velikiFi hitrosti!^ naprševania je kotna porazdelitev razpršenih atomov kosinusa 5. Disociacija spon. razgradnja zlil^, sestava ßlasQ oOstopa od seslave sncni v Izviru 5 D^nadisociacii a spojin, sestava plasU ustreza sestavi tarč« Plinska faza 1 izparjeri atomi potu^eio v visokem aH ultra visokem vakuumu (-10*^-10'® Pa) 1 Delovnitlakargona{0,M Pa) 2. Prosta pot je večia od la^daiie med podlago m inirom 2 Prosla pot je manjša od razdalje me^ tarčo m podlago, zato razpršeni atomi na poti o podiag doživijo več irKov Kohdenzacija plasti 1, Atom, ki se kondei^ziiajo. imaio relativno nizko energiio 1 Atomi, ki s« kondenzirajo, irruio relativno visoko energijo 2 Vgraievartje atomov pHna zarremaniivo 2 V plast se vQradi do nekai at% atomov pitna (argona) 3 Relativno velika kristalna ?Tna 3 Plasti imajo finozmato strukturo 4 Plasti (astejo s Df^ferencno onentacijo 4 Plasti so brez izrazite teksture 5 DoDra opri|eml|ivost plasti na podlago Ko (Zbiramo postopek nanašanja trdth prevlek, moramo upoštevati nasiedn|e 1 Nirnamo optimalnega procesa za nanaianje trdih prevlek 2 Postopek nanašanja rzberemo glede na vrsto orodja, ki gaželjmo prekriti 3 Najboljše rezultate dosežemo z rapravarni, ki imajo vgrajen nizkonapetostni elekironski lok ali pa več ločJaC SrinK.Proceed cJ First int Cc-if on Piasmo Sutlace Ef>ginee(in9, G3 1968 /S/ D M Jang, S BKfn anä J 5 Chun, Ptoceed of F«sl Ini Ceni cr Plasrru Surloca Enginaaiing, Garmisch-Paridnkirctwr, 199d /T/L&iiihi SVulOftg XXiang^YhlongsfK»f>, Ptoceed oi First inr Cont on Plasma Su'fdC« Garmccft-Porte^kircher» 1963 /8/ J Lainw, M Ston and P Hodhamrnet J Vac Sa Tectv»!, A7 i5) (1989), 2952 /9/K T n« and A GetMusr, Materials Scieoc^ artci Engrt^anrbg, Ai3d /lO/KRetchettenOX Jiang Thin Sol»d Fi^ns, f9l (1990), 9M25 /11/JLaimer. Vacuum,40, 1/2 (TS») 27-32 /12/ D W Male«, J Appl Phys , 34 (1963), 2493 /13/TSp^ins, J VacSciTechnd, 17(1),Jan/F^ 1960 315 /I4/M Fteller, vacuum. Vol 45, N10/1t, (1994), 997 /IS/flFfionshah and C V Deshpanndey, J Vac Sei Technd A3. (3) May/Jun 1985. 553 /i6/PMicheiar^det3i RevSc< insttuments,59(1988), 1072 /17/ftPBcPisnah an« CDes^pano?* Physics cd Thm FDl 23 (1987), /20/H K Pulkef, J Vac Sei Technol AiCN4), 1992 ^1/P Panian m ACvelbar Vakuunisi, 26 (199?) 15-18 ^seerg, T Larson, CNena» ano H.OBlom, J AppiPny« 83, 83 (1989), 887 /23/S HcMrr^nn Thir^ Sohö Filrns, 191 (1990)335.346 /24/J N Avarilsolis and CDTswgas Thir^ Solid Fifrns 209 17-25 /25/G U R30 vid S Uctian 42 6/9(1991)515 /26/PSMcLaod,Soiö State Tecftaoic^ Oct 1983 207 /27/E.KEir$ky NasUierje in rast vaKuumskih lankti plasti, CiuSIvoza vaKujmsko tehn*(ci Slovence, Ljubljana, 1990 /28/K Raicr>ett, Vacuum, 38/12(1988) 1083-10^ /29/ 6 2aga Zbonik rodova 4 jug simpoziia o ic(3lirtskoi oOr^d) mata^a. PlirvčKa ja2«Clr«i VacuumCcr9re$s, Madrid. 1983 /31/E Moll, RBghl H K Pulkar^idEBagrTvai. Surface aod Coatings Teciwöl., 39/40 (1969) 475 /32/ A l,Gfi9C»0v M O Kiseiev. A,M Dctodnov, Pateni 0£ 29C2142, 197S /33/M Ri»3hawayidPC Johnscr,Surfac«andCoalri98Tec*i*i .31 (19871, 303-318 /34/BZega US Pat 4,374 722(1983) /35/ J C Vcssan, W Kan ed , Thin Film PrcMWr<)3Ch. Nuci if^st snd MethoOs m Prt/s R^SBÄ-Ch BfiOÄI (1993) 14C©-1414 /45/ 0 Zega Zc^r-iik XI jug vakuumskega kor^resa. OfuSt^c za va>