Informacije I Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale IStručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale 3 °1988 LJUBLJANA, SEPTEMBER 1988, LETNIK-GODINA 18, ŠTEVILKA-BROJ 47 ONSKIH KOLA U RO-EI MIKROELEKTRONIKA, NIŠ INFORMACIJE MIDEM Izdaja trimesečno Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale. Glavni in odgovorni urednik Iztok Šorli, dipl.ing. Glavni i odgovorni urednik Tehnični urednik Janko Čolnar Tehnički urednik Uredniški odbor Redakcioni odbor Častni predsednik društva Predsednik Podpredsednik Tajnik-sekretar Člani izvršnega odbora MIDEM Članovi izvršnog odbora MIDEM Naslov uredništva Adresa redakcije Člani MIDEM prejemajo Informacije MIDEM brezplačno. Po mnenju Republiškega komiteja za kulturo SRS št. 4210-56/79 z dne 2.2.1979 je publikacija oproščena plačila davka od prometa proizvodov. Oblikovanje besedila, priprava za tisk in izvedba BIRO M, Ljubljana Naklada: 700 izvodov Izdaje tromjesečno Stručno društvo za mikroelektroniku, elektronske sastavne delove i materijale. Članovi MIDEM primaju Informacije MIDEM besplatno. Mišljenjem Republičkog komiteta za kulturu SRS broj 4210-56/79 od 2.2.1979 publikacija je oslobodena plačanja poreza na promet. Oblikovanje stavka, priprema za štampu i izvedba BIRO M, Ljubljana Tiraž: 700 primeraka mag. Rudi Babič, dipl.ing. Dr. Rudi Ročak, dipl.ing. mag. Milan Slokan, dipl.ing. Pavle Tepina, dipl.ing. Miroslav Turina, dipl.ing. Prof.dr. Janez Dobeic, dipl.ing., Ljubljana Dr. Rudi Ročak, dipl.ing. - Iskra Mikroelektronika, Ljubljana Ratko Krčmar, dipl.ing. - Rudi Čajavec, Banja Luka Mr. Vladimir Pantovič, dipl.ing. - Ei-IRI, Zemun mag. Milan Slokan, dipl.ing. - Ljubljana Mr. Miroslav Gojo, dipl.ing. - RIZ-KOMEL, Zagreb Pavle Tepina, dipl.ing. - Ljubljana Mr. Vlada Arandelovič, dipl.ing. - Ei-Poluprovodnici, Niš Mr. Mladen Arbanas, dipl.ing. - RIZ-KOMEL, Zagreb Franc Beravs, dipl.ing. - Iskra Polprevodniki, Trbovlje Mr. Željko Butkovič, dipl.ing. - Elektrotehnički fakultet, Zagreb Jasminka Čupurdija, dipl.ing. - Rade Končar-ETI, Zagreb Mr. Miroslav Damjanovič, dipl.ing.- VTI, Beograd Prof.dr. Tomislav Dekov, dipl.ing. - Elektrotehnički fakultet, Skopje Mihajlo Filiferovič, ing. - Mipro, Rijeka Prof.dr. Jože Furlan, dipl.ing. - Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Franc Jan, dipl.ing. - Iskra-HIPOT, Šentjernej Mr. Slavoljub Jovanovič, dipl.ing. - Ei-Poluprovodnici, Niš Alojzij Keber, dipl.ing. - Institut Jožef Štefan, Ljubljana Prof.dr. Drago Kolar, dipl.ing. - Institut Jožef Štefan, Ljubljana mag. Milan Mekinda, dipl.ing. - Iskra Mikroelektronika, Ljubljana Ljutica Pešič, dipl.ing. - Institut Mihailo Pupin, Beograd Ervin Pirtovšek, dipl.ing. - Iskra IEZE, Ljubljana Dr. Alenka Rožaj-Brvar, dipl.ing. - Iskra Center za elektrooptiko, Ljubljana mag. Stanko Šolar, dipl.ing. - Iskra Avtoelektrika, Novo Gorica Prof.dr. Ninoslav Stojadinovič, dipl.ing. - Elektronski fakultet, Niš Prof.dr. Sedat Širbegovič, dipl.ing. - Elektrotehnički fakultet, Banja Luka Prof.dr. Dimitrije Tjapkin, dipl.ing. - Elektrotehnički fakultet, Beograd Prof.dr. Lojze Trontelj, dipl.ing. - Fakulteta za elektrotehniko, Ljubljana Mr. Srebrenka Uršič, dipl.ing. - Rade Končar-ETI, Zagreb Uredništvo Informacije MIDEM Elektrotehniška zveza Slovenije Titova 50, 61000 Ljubljana telefon (061) 316-886, (061) 329-955 145 VSEBINA - SADRŽAJ I. Šorli: Beseda bralcem 147 D. Strle, J. Trontelj, L. Trontelj, Analogna mreža 148 F. Smole, J. Furlan, S. Amon: Analiza osvetljene p-i-n strukture sončnih celic 153 M. Kramberger: Defekti v polprevodniškem siliciju 159 J. Brvar: Površinska zaščita optičnih vlaken 165 D. Zore: Elektronski regulator jalove energije KRK22XX 168 A. Česnik, D. Uvodič, J. Oblak: Osvajanje SMD tehnologije u SOUR Iskra 171 R. Babič, K. Jezernik: Center za aplikativno mikroelektroniko v Mariboru 174 D. Uvodič: Smeri razvoja tehnologij in uporabe novih superprevodnikov 176 M. Slokan: XXIV. Jugoslovanski simpozij o elektronskih sestavnih delih in materialih, SD 88, 180 A. Keber: Seminar o površinski montaži firme AMTEST 181 Predstavljamo sponzorje MIDEM 183 VESTI VESTI VESTI 185 R. Ročak: Študijski dan „Mikroelektronika in družba" 187 Obvestilo o seminarju HOECHST 188 Obvestilo, CEOK 189 Pronic Electrónica 191 Koledar prireditev 192 R. Ročak: Nadaljevanje objavljanja terminoloških standardov 193 147 Beseda bralcem Informacije MIDEM so glasilo društva MIDEM, ki poroča o visoki tehnologiji s področja mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov, zato morajo tudi rezultati te tehnologije vplivati na njegovo obliko in vsebino. Pazljivi bralec je že v prejšnji številki opazil oblikovno spremembo glasila, saj je bilo pripravljeno izključno s pomočjo računalniške obdelave teksta in slik. S tem smo glasilu dali lepšo obliko, omogočili večjo fleksibilnost tehničnega urejevanja, vsebina pa je trajno shranjena in na razpolago za nadaljnjo uporabo. Nekaj svežine smo časopisu vdihnili tudi z novo rubriko PREDSTAVLJAMO SPONZORJE MIDEM, kjer bomo poskusili bralcem predstaviti delovne organizacije in ustanove z naslovnice. To pa še ni vse! Navkljub navidezni slepi ulici, v kateri so se znašle panoge, o katerih glasilo poroča, poklicni optimizem le vidi svetlejša obzorja in čuti potrebo in odgovornost za izbojevanje bitke za tehnološki napredek. Kot prispevek tem naporom v uredniškem odboru intenzivno pripravljamo registracijo glasila Informacije MIDEM kot referenčne znanstvene revije. Na ta način načrtujemo v naslednjem letu dvig kakovostne ravni glasila na raven, ki jo zasluži kot osrednje glasilo, ki spremlja dogajanja na področju mikroelektronike, elektronskih sestavnih delov in materialov. Vsekakor pa brez VAŠEGA sodelovanja ne moremo uspeti. Kakovost revije boste ustvarjali tudi vi z vašimi znanstveno-strokovnimi prispevki in drugimi oblikami udejstvovanja v Informacijah MIDEM. Delovne organizacije in ustanove, voditeljice in soustvarjalke omenjenih panog lahko še bolj aktivno kot do sedaj pomagajo pri dolgoročnem financiranju društva MIDEM in s tem omogočijo delovanje glasila v novi preobleki. Poziv k sodelovanju naj bo prošnja in opomin hkrati, kajti samo konkretno delo in udejstvovanje nas bosta potegnila iz prepada, ki ga imenujemo tehnološki zaostanek. Glavni in odgovorni urednik lztok Sorli 148 ANALOGNA MREŽA Drago Strle, Janez Trontelj, Lojze Trontelj 1. UVOD Velike potrebe po hitrem načrtovanju analognih in analogno/digitalnih vezij po naročilu so podobno kot pri digitalnih vezjih narekovale zasnovo analognih in mešanih mrež. Za logične mreže, kot tudi za analogne in mešane mreže je namreč značilno, da končno funkcijo vezju dodelimo z zadnjo metalno masko na predfabricirani silicijevi rezini. S tem dosežemo pri logičnih mrežah za velikostni razred večjo hitrost načrtovanja, poleg tega pa mnogo večjo zanesljivost, da vezje, oz. sistem deluje že prvič Podobna razmerja v načrtovalskih časih in zanesljivosti veljajo tudi v primeru načrtovanja analognih vezij z uporabo analognih mrež. Pri tem so zaradi večje zahtevnosti, večjega nabora a-nalognih funkcij ter zaradi potrebnih ožjih toleranc, osnovni gradniki veliko kompleksnejši od primerljivih digitalnih, zato je priprava osnove za analogno mrežo mnogo težja kot pri logičnih mrežah, podaljšajo pa se tudi časi načrtovanja zadnje metalne maske, ker je potrebno upoštevati mnogo več parametrov, kot v primeru digitalnih vezij. Ena izmed funkcij, ki jo pogosto želimo integrirati, je filtriranje analognih signalov. To je seveda mogoče storiti na mnogo načinov. RLC in aktivni filtri so poznani inženirjem elektrotehnike, prav tako tudi digitalni filtri. Vsaka izvedba ima dobre in slabe lastnosti: RLC filtri so edini uporabni za zelo visoke frekvence, so pa zelo dragi in neustrezni pri nizkih frekvencah, ne moremo jih integrirati; aktivni filtri omogočajo ekonomično izdelavo nižjefrek-venčnih filtrov, vendar le z uporabo ene izmed hibridnih tehnologij ter doravnavanjem, ker nobena izmed znanih tehnologij ne omogoča izdelave stabilnega in točnega RC produkta; digitalne filtre je sicer mogoče izdelati v monolitni tehnologiji, vendar zahtevajo pri procesiranju analognih signalov predfiltre, A/D pretvornik ter D/A pretvornik in post filter, kar pa zahteva ogromno površino. V letu 1979 so se kot odgovor na omenjene robleme pri implementaciji filtrov pojavili filtri S-C Filtri S-C (Switched capacitor filters) so filtri, ki delujejo na principu preklapljanja kondenzatorjev. V najenostavnejši aproksimaciji zamenjamo upor R 1 v aktivnem RC filtru s kombinacijo stikal in kondenzatorja. Tako dobljeni „produkt RC" je točen in stabilen ter ima zelo majhno površino in zato omogoča izdelavo filtrov S- C, ki so superiorni nad os- talimi v frekvenčnem področju do nekaj 100 kHz Da bi poenostavili in pospešili načrtovalski postopek, povečali zanesljivost, daje rezultat že prvič zadovoljiv ter da bi omogočili poceni prototipno izdelavo v majhnih serijah, smo se odločili za izdelavo analognih mrež Tako je nastala analogna mreža UAA1 Laboratorija za mikroelektroniko, Fakultete za elektrotehniko v Ljubljani, ki je namenjena predvsem izdelavi filtrov S-C. 2. SPLOŠEN OPIS Analogna mreža UAA1 je monolitno integrirano vezje v procesu CMOS s silicijevo krmilno elektrodo, uporabno kot programirano vezje S-C v akustičnem frekvenčnem področju. Sestavljena je iz naslednjih glavnih sklopov (blok shema slika 2.1): □ □ eiawoMTic UNIT t o □ 3ÍQUACRATIC UNIT 3 □ 0 eiMUTic UNIT 2 WALC5 BUS 0 0 81»,MIC unit; DIGITAL 3US /H CM Û2Q3» G5Q6G7 Ï /HIV121! JO 5l îz JB J4- JS 36 rrrrTTT CIOCKA Flrf II CIOCH FM? i »tTAL BUS bimaiic unit 5 □ G emsMic UNITS a t AN LOG BUS BIQUADRATIC UNIT? D □ UNITS D □ Slika 2,1: blok shema analogne mreže 149 oscilator s programiranima delilnikoma in generatorjema vzorčnih signalov 8 bikvadratnih stopenj analogno in digitalno vodilo logična mreža periferija Vezje, procesirano do predzadnje metalne maske, je enako za vse aplikacije. Metalna maska določa vse potrebne topološke povezave za realizacijo vezja S-C do 16. reda. 3. FUNKCIONALNI OPIS 3.1 Oscilator, programirani delilnik in generator vzorčnih signalov Slika 3.1 kaže vezje za generiranje vzorčnih signalov. Zunanji kvarčni kristal z ustreznim povratnim uporom in pripadajočimi kondenzatorji definira osnovno frekvenco, s programiranim deljenjem pa definiramo vzorčno frekvenco. Prvi programirani delilnik je 7 bitni sinhroni števec z možnostjo deljenja od 1 do 127. Frekvenca signala v vozlišču A je določena z enačbo: fA = FOSC/4(N + 1) N = binarno število, nastavljeno na vhodih I prvega delilnlka (1-127) Število N določajo potenciali na vhodih I, ti pa so definirani z metalno povezavo, ali pa na zunanjih l/O priključkih vezja. Drugi programirani delilnik je prav tako 7 bitni sinhroni delilnik in deli signal v točki A z M = 2X (x je pozicija izhoda 0,1,.....7). Odvzem ustreznega signala za generatorje vzorčnih signalov je določen z metalno povezavo, frekvenci pa sta: fX1=FOSC/(4(N + 1).2x1) za CF1 (PHI1, PHI1P, PHI2, PHI2P) fX2 = FOSC/(4(n + 1).2x2) za CF2 (PHI3, PHI3P, PHI4, PHI4P) x1 oz. x2 izhoda sta priključena na ustrezna izhoda drugega delilnika M, To pomeni, da vzorčno frekvenco definira frekvenca kvarčnega oscilatorja skupaj z delilniki, kar omogoča izjemno širok razpon vzorčnih frekvenc. Slika 3.2 kaže neprekrivajoče vzorčne signale, ki prek digitalnega vodila krmilijo stikala v bikvadratnih stopnjah. HI ic 12; J-LL BACH»«« ci m JOLSLMon k m m FHlif n r Slika 3.1: vezje za generiranje vzorčnih signalov Slika 3 2: neprekrivajoči vzorčni signali 150 3.2. Bikvadratna stopnja Je osnovna celica analogne mreže, ki realizira poljuben filter S-C drugega reda (8 takih celic lahko realizira filter S-C do šestnajstega reda). Blok shemo bikvadratne stopnje kaže slika 3.3, topologijo pa slika 3.4 CIE I/O CONECTION 1 CIE 2 ANALOG BUS 2 ANALOG BOS 1 SWITCHING ARRAY 2 SWITCHIMG L3GIC ARRAY SWITCHING ARRAY 1 CU2 CUT Ol Gl T AL BUS Slika 3.3: blok shema bikvadratne stopnje Operacijski ojačevalnik z notranjo kompenzacijo faze in šibkim izhodom ima vse priključke speljane v analogno vodilo, kjer z aplikacijsko metalno masko določamo povezovanje teh priključkov s stikali, kondenzatorji, ali I/O priključki v poljubni bi-kvadratni stopnji. Priključku PD (POWER DOWN) lahko definiramo tudi fiksni potencial (VDD - izključen, VSS - vključen). Polji kondenazatorjev CIE1 in CIE2 lahko realizirata: integracijske kondenazatorje (Cl), serijske kondenzatorje (CE), vzorčne kortdenzatorje (CS). Primer uporabe teh kondenzatorjev kaže slika 3.5. Skupno število kondenzatorskih enot je enako 101, dodani pa sta še dve skupini decimalnih kondenzatorjev za realizacijo decimalnih razmerij 1,1 do 1,9 proti enoti. Kapacitivnost kondenzatorja enote znaša približno 0,5 pF. Zgornje in spodnje plošče kondenzatorjev so vezane v analogno vodilo, v vhode -IN ojačevalnikov, ali na priključke l/O z aplikacijskim metalom. Kompletno kondenzatorsko polje je uporabno za oba operacijska ojačevalnika ene bikvadratne stopnje in lahko realizira strukturo s slike 3.6 tako, da skupna kapacitivnost ne preseže 101 enote. Analogno vodilo je polje polisilicijevih vertikalnih linij s kontakti na ustreznih mestih, ki so priključene na eni strani v kondenzatorsko polje in na ustrezne priključke operacijskih ojačevalnikov, na drugi strani pa v polje stikal. Horizontalne aplikacijske metalne linije povezujejo priključke elementov bikvadratne celice ter omogočajo povezavo z drugimi bikvadratnimi celicami. Vsaka bikvadratna stopnja vsebuje dvoje analognih vodil s slike 3.3. Polje stikal vsebuje 8 parov stikal z različnimi dimenzijami in enakim krmiljenjem ter stikalo, ki mu lahko definiramo fazo vzorčenja. Bikvadratna stopnja vsebuje 2 polji stikal z enakim ali različnim krmiljenjem, kar določa aplikacijski metal v digitalnem vodilu. Neuporabljenemu polju stikal vrata vežemo na VSS, neuporabljeno stikalo pa kratko vežemo (sponke A, B, C na VSS). Sponki A in B sta priključeni v analogno vodilo, sponka C pa v polje CU kot kaže slika 3.7a. Slika 3.7b pa kaže uporabo stikala, ki mu definiramo fazo vzorčenja z aplikacijskim metalom. Polje kondenzatorjev CU sestavlja 8 enotnih ter skupina decimalnih kondenzatorjev. Povezuje jih aplikacijski metal med seboj ter na ustrezen priključek C v polje stikal. Primer uporabe stikal in kondenzatorjev CU kaže slika 3.8. Digitalno vodilo vodi vzorčne signale za krmiljenje polja stikal, ki zahtevajo enake, ali različne frekvence, kar določa aplikacijski metal. Vsaka bikvadratna celica vsebuje 2 zunanja l/O priključka z ustrezno zaščito proti thiristorske-mu efektu. Aplikacijski metal določa tip priključka (vhod, izhod). Vhod je lahko priključen na: +IN, -IN, I vhod delilnika, CIE, analogno vodilo. Izhod je lahko priključen na: izhod ojačevalnika, močnostni izhod (v desnih bikvadratnih celicah). 3.3. Logična mreža Vsebuje 18 nepovezanih P in N tranzistorjev ter 4 D celice. To omogoča realizacijo preprostih preklopnih in sinhronizacijskih funkcij. Z ostalim delom vezja se elementi povezujejo prek analognega, oz. po potrebi digitalnega vodila v ustrezno področje bikvadratnih celic. 151 n i IU fi. H -S Vi * M i J H j ji i! t y in jNh^fctfjl . * - - ^ fr«i s ul s g M ¿1 p h 'jft " ......r.prTftfiftcii ^, ...-o - , -r V i fiit' i ' Ti 8- ' I1 ip j i! i hi II »S lit... H a ^ «■ a t ! I „ t h 1 # S si lil .............s 1 > ' r-................. si,«' t 1> I It J l|J \ J r>* l|t!j
  • h l L 1 1 1* -lESvl »P r i» I« Nt-IlJ i w , « nS15! r 1 11 s t, »1 i-®}! ifea w fH i wm H Pm fj Sp™ Vm Siika 3.4: topologija bikvadratne stopnje 152 VINI ,CL1 VIJI^ V IK3 Slika 3.8: uporaba polja stikal in polja kondenzatorjev Slika 3.5: vezava kondenzatorjev CI, CE 0 -p C5 Slika 3.6: uporaba polja kondenzatorjev 06 m Slika 3.7: vezava stikal 3.4. Periferija Periferijo sestavljajo vsi I/O priključki zunaj bik-vadratnih stopenj, povezava med dvema vrstama bikvadratnih stopenj po analognem, oz. digitalnem vodilu, digitalne izhodne stopnje vezane po sliki 3.9 ter vsa potrebna zaščita proti thiristorskemu efektu. Slika 3.9: logična izhodna stopnja 4. ZAKLJUČEK Izdelana je bila analogna mreža in uspešno preizkušena v več aplikacijah. Vezje predstavlja idealno rešitev za realizacijo integriranih sistemov, ki vsebujejo pretežno analogne in delno digitalne funkcije z ekonomičnim učinkom že pri serijah nekaj sto kosov letno. Pričakovati je, da bo vezje uvrščeno v standardne Iskrine sestavne elemente in bo našlo še mnogo aplikacij. 5. LITERATURA 1. E. J. Kuuttila, R. C. Anderson, P. Matlock, „IC design productivity study", Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference, 1985 2. R. W. Brodersen, P. R. Gray, D. A. Hodges, „MOS Switched Capacitor Filters", Proceedings of the IEEE, Vol. 67, no. 1, jan. 1979 3. D. Strle, „Sinteza in načrtovanje filtrov S-C", Magistrsko delo, Ljubljana 1981 4. D. Strle, L. Trontelj, J. Trontelj, „Analogna mreža", Zbornik referatov simpozija o elektronskih sestavnih delih in materialih, Ljubljana 1984 5. M. S. Ghansi, K. R. Laher, „Modern Filter Design", Prentice -Hall International, N. Y,, 1981 dr. Drago Strle, prof.dr. Janez Trontelj, dipl. ing. prof.dr.Lojze Trontelj, dipl.ing. Fakulteta za elektrotehniko Tržaška 25, Ljubljana 153 ANALIZA OSVETUENE p-i-n STRUKTURE a-Si:H SONČNE CELICE F.Smole, J.Furlan, S.Amon, D.Senear, IZVLEČEK Izdelan je bil računalniški program za analizo osvetljene p-i-n strukture amorfne silicijeve sončne celice. Osnovna značilnost programa je, da model dovoljenih energijskih stanj v mobilnostni reži opisuje poteke, koncentracije in vrste stanj čim bolj skladno z eksperimentalnimi rezultati. Model vsebuje repe donorskih stanj nad valenčnim pasom, repe akceptorskih stanj pod prevodnim pasom, kot tudi stanja defektov s pozitivno in negativno korelacijsko energijo. V Poissonovi enačbi so poleg koncentracij prostih elektronov in vrzeli ter dodanih primesi upoštevane tudi koncentracije ujetih elektronov in vrzeli v stanja mobilnostne reže. Podani so nekateri rezultati izdelane analize. ABSTRACT A computer program enabling the analysis of an illuminated p-i-n structure of a-Si:H solar cell was developed. This program is arranged to fit closely experimentally established localized states distribution within the mobility gap of a-Si:H. The model of localized states density includes the tails of donor-like states above the valence band, and of acceptor-like states below the conduction band, as well as defect levels having either positive or negative correlation energies. The estabilished computer program solves electron and hole continuity equations and Poisson equation, where free and trapped charge carrier densities together with ionized impurity densities are taken into account. Attached there are some graphs showing calculated properties of the illuminated a-Si:H solar cell. 1. UVOD Računalniška simulacija električnih dogajanj v polprevodniških strukturah je lahko pomemben pripomoček pri proučevanju dogajanj in optimizaciji struktur. Seveda pa je realnost rezultatov zelo odvisna od tega. kako so podani snovni parametri. Pri analizi a-Si:H plasti in struktur so najpomembnejši parameter prav gotovo dovoljena energijska stanja v mobilnostni reži. Čeprav v svetu potekajo številne raziskave na tem področju, razmere v mobilnostni reži še niso docela pojasnjene in ta- ko ni možno postaviti povsem zanesljivega modela. V literaturi je možno zaslediti več aproksimativ-nih modelov, ki so še dodatno prilagojeni za matematično obdelavo. Hack in Shur sta npr. aproksimirala potek stanj v mobilnostni reži z eksponen-cialnimi poteki (slika 1). o. o = i.05980.102~ ieVCcm-1 Wc=0.0 5 3eV -9 , 54097 .10" ( eV ) -;Lcttr 3 Wv =0 . 08 8ev" Slika 1: eksponenoialni potek stanj v mobilnostni reži V primerjavi s temi modeli smo skušali postaviti model, ki naj bi se bolj skladal z eksperimentalnimi rezultati. Takšen model vsekakor mora vsebovati repe donorskih stanj nad valenčnim pasom, repe akceptorskih stanj pod prevodnim pasom in stanja defektov. Potek stanj repov smo povzeli po M.Amerju in B.Jacksonu (2B, str. 108). Vrhova stanj bingljajočih vezi s pozitivno korelacijsko energijo smo skladno z ugotovitvami pri raziskavah Staebler-VVronskega efekta postavili simetrično glede na sredino mobilnostne reže. Vrhova stanj 1~3+ in T3" centrov smo postavili skladno s teoretičnimi predvidevanji Adlerja -2'6' in meritvami Morigakija Pri tem smo pri lokaciji T34" stanj u-poštevali še ugotovitev DLTS meritev, da obstaja minimum stanj približno 0.4eV pod prevodnim pasom. Tako naj bi ležala stanja Ts+ neposredno pod prevodnim (približno 0.2eV), stanja T3" pa so bolj 154 odmaknjena od valenčnega pasu, po nekaterih predvidevanjih naj bi se celo pokrivala s spodnjimi stanji bingljajočih vezi s pozitivno korelacijsko energijo Sklepamo lahko, da se v neposredni okolici bingljajočih vezi in tudi ostalih defektov pojavlja večja deformiranost Si-Si vezi. Te vezi naj bi vnašale dodaten rep donorskih stanj, s sicer nižjo koncentracijo, vendar pa globlje v mobilnostno režo (slika 2). posameznih električnih veličin na zunanjih sponkah kot tudi opis dogajanj znotraj strukture. Pois-sonova enačba, ki naj opisuje razmere v a-Si:H strukturi, mora poleg koncentracij prostih elektronov in vrzeli ter ioniziranih donorskih in akceptor-skih primesi vsebovati tudi koncentraciji ujetih e-lektronov in vrzeli v dovoljena energijska stanja znotraj mobilnostne reže. Ta prispevek je običajno celo večji od prispevka prostih nosilcev in ga zato ne smemo zanemariti. Govorimo o razširjeni Pois-sonovi enačbi: Slika 2: izboljšan model stanj v mobilnostni reži a-Si:H a) repi donorskih stanj nad valenčnim pasom b) repi akceptorskih stanj pod prevodnim pasom c) donorska stanja močneje deformiranih vezi d) defekti s pozitivno korelacijsko energijo e) defekti z negativno korelacijsko energijo Predstavljeni model je služil kot osnova za nadaljnjo analizo. Pri tem je jasno, da razmere v mobilnostni reži a-Si:H niso povsem realno opisane. Gre za poskus, da bi čim bolje zajeli dosedanja spoznanja. Glede na to je tudi predstavljena analiza osvetljene p-i-n strukture a-Si:H sončne celice zastavljena tako, da bo možno pozneje brez večjih težav vnašati, oz. upoštevati nova dognanja. 2. RAČUNALNIŠKA SIMULACIJA DOGAJANJ V a-Si:H STRUKTURAH Električna dogajanja v polprevodnikih strukturah v splošnem opisujejo transportni, kontinuitetni in Poissonova enačba. Z rešitvijo tega sistema nelinearnih diferencialnih enačb dobimo vrednosti eAV = q(p-n + pt-nt + Nd+-Na-)' (1) Podobno kot koncentraciji prostih nosilcev določimo tudi koncentraciji ujetih nosilcev s pomočjo porazdelitve gostote stanj in verjetnosti zasedenosti. Tako koncentracijo ujetih elektronov r>t določimo z integracijo produkta gostote akceptorskih stanj gA in verjetnosti zasedenosti f^, koncentracijo ujetih vrzeli pt pa z integracijo produkta donorskih stanj gp in verjetnosti zasedenosti fp znotraj mobilnostne reže. Ker gre za več vrst stanj gA(E) in go(E), izračunamo najprej ločeno prispevke posameznih vrst stanj. Splošno lahko zapišemo: Ec nt; gA(E)fA(E)dE (2) J Ev Ec pt | gD(E) (1-fD(E))dE. (3) Ev Zanimajo nas razmere izven termičnega ravnovesja, zato za verjetnosti zasedenosti fA in fp ne moremo uporabiti Fermi - Diracove porazdelitve. Pomagamo si s sklepanjem, da morajo biti v stacionarnem stanju neto rekombinacije in generacije elektronov enake neto rekombinacijam in generacijam vrzeli, bodisi skupno za vsa stanja, bodisi ločeno za vsako vrsto stanj posebej. dGn-dRn = dGp.dRp (4) Iz tega pogoja lahko izrazimo verjetnost zasedenosti ft, ki velja tudi izven termičnega ravnovesja. 0"n vthn H (T p'vthp P1 ft =---(5) on vthn (n + n-i) +crp vthp (p + Pl) Pri zapisu izrazov za dG in dR smo izhajali iz SRH zakonitosti. 155 cm in cx p sta prereza ujetja elektronov in vrzeli, Vth je termična hitrost, ni in pi pa sta odvisna od intrinzične koncentracije nj in lege stanj znotraj mobilnostne reže. Pri analizah, ki jih zasledimo v literaturi, največkrat predpostavljamo, da je termična hitrost enaka za vse proste nosilce, prerez ujetja pa je za elektrone in vrzeli različen in prav tako močno odvisen od vrste stanj. Pri izračunu koncentracij ujetih nosilcev v posamezne vrste stanj se pojavijo težave še zlasti pri izračunu koncentracij ujetih nosilcev naboja v dovoljena energijska stanja defektov, kot so npr. bingljajoče vezi, ki vnašajo v mobilnostno režo po dve stanji in je gostota, oz. vrsta aktivnih stanj odvisna od stopnje zasedenosti. Tako je npr. pri bingljajoči vezi s pozitivno korelacijsko energijo gornje stanje lahko zasedeno le, če je zasedeno spodnje stanje, to pa je aktivno le, če je zgornje stanje nezasedeno. To je posledica močnega medsebojnega elektrostatičnega vpliva nabojev in zakonov kvantne mehanike. Gostota bingljajočih vezi s pozitivno korelacijsko energijo, ki Imajo spodnje energijske nivoje pri energiji E, zgornje pa pri E + U-ef je enaka vsoti pozitivno nabitih, nevtralnih in negativno nabitih vezi: Nt(E) = N + i (E) + N0(E) + N.i (E + U0f). (6) Nevtralne in pozitivno nabite bingljajoče vezi predstavljajo donorska stanja. gDB(E) = N + i(E) + N0(E). (7) Vlogo akceptorskih stanj pa igrajo nevtralne in negativno nabite vezi gAB(E + Uef) = No (E + Uef) N,| (E + Uef). (8) Gostoto ujetih vrzeli na energijski interval v donorska stanja izračunamo po enačbi Pibe(E) = gDB(E) (1-fDB(E)) = N + 1 (E) = (N + i(E) + N0(E))(1-fDB(E)). (9) Gostoto ujetih elektronov na energijski interval v akceptorska stanja pa podaja naslednja enačba ntBE(E) = gAB(E + Uef)fAB(E + Uef) = N-1(E + Uef) = (N0(E + Uef) + N.-|(E + Uef)) fab(E + Uef).(10) Iz gornjih enačb lahko izrazimo gostoto ujetih elektronov in vrzeli na energijski interval v odvisnosti od gostote Nt(E) in verjetnosti zasedenosti fDB(E) terfAB(E + Uef) (1-fDB)(1-fAB) ptBE = Nt --(11) 1-fAB + fABfDB fABfDB ntBE = Nt--(12) 1-fAB + fABfDB Kot smo že spoznali, vnašajo bingljajoče vezi s pozitivno korelacijsko energijo stanja blizu sredine mobilnostne reže. Zaradi nepravilnosti v strukturni zgradbi prihaja do stresanja stanj okrog vrha in potek stanj običajno matematično opišemo z Gaus-sovo porazdelitvijo. Celotno koncentracijo ujetih elektronov in vrzeli v stanja bingljajočih vezi s pozitivno korelacijsko energijo dobimo z integracijo znotraj mobilnostne reže: Ec PtBp = JptBE(E) dE (13) Ev Ec ntBP = j"ntBE (E) dE. (14) Ev Pri defektih z negativno korelacijsko energijo so razmere mnogo bolj nejasne. Tu gre za pare T3 + T3". Na podoben način kot defektov s pozitivno korelacijsko energijo jih ni možno obravnavati. V analizo smo jih vključili tako, da smo predpostavili, da delujejo T3+ centri kot čista donorska stanja, T3" pa kot čista akceptorska stanja. Ob tem pa smo zanemarili medsebojno sklopitev. Celotna koncentracija ujetih elektronov in vrzeli je enaka vsoti ujetih nosilcev v posamezne vrste stanj nt = ntA + ntep + ntBn (15) Pt = PtD + PtBp + PtBn + PtBD (16) kjer je: ntA.. koncentracija ujetih elektronov v akceptorska stanja pod prevodnim pasom ntep...koncentracija ujetih elektronov v zgornja stanja bingljajočih vezi s pozitivno korelacijsko energijo ntBn-koncentracija T3. defektov z negativno korelacijsko energijo PtD...koncentracija ujetih vrzeli v 156 donorska stanja nad valenčnim pasom ptBD-koncentracija ujetih vrzeli v donorska stanja deformiranih vezi okrog bingljajočih vezi ptBp-.-koncentracija ujetih vrzeli v spodnja stanja bingljajočih vezi s pozitivno korelacijsko energijo ptBn--koncentracija T3+ defektov z negativno korelacijsko energijo. S tem, ko smo nakazali pot za izračun rit in pt, lahko preidemo k diskretizaciji Poissonove enačbe. To je nelinearna diferencialna enačba drugega reda. Da je ustrezna za učinkovito numerično reševanje, je potrebno izvesti najprej linearizacijo z razvitjem v Taylorjevo vrsto. Poseben problem in pomembna razlika v primerjavi z monokristalnim silicijem nastopi pri izračunu odvoda dp/8s, o-atp vj p(£,s) vaoTOTrcrra KovxEv,fPCiX,<'Pt' yt 'n Pt. Pr' katerih je odvisnot od potenciala preveč zapletena, da bi bilo smiselno analitično odvajanje. Pri izračunu numeričnega odvoda smo uporabili izboljšano sekantno metodo. Pri diskretizaciji kontinuitetnih enačb smo uporabili metodo, ki vključuje Bernoullijevo funkcijo. S tem je znotraj posameznih segmentov strukture u-poštevana eksponencialna odvisnost koncentracij elektronov in vrzeli od potenciala. Razmere v segmentih strukture so tako realneje opisane, izboljšana je točnost računanja in hitrost konvergence. Prednost te metode je tudi v tem, da nad rekom-binacijskim členom znotraj segmentov ni potrebna integracija, kot pri večini ostalih metod. Vrednost rekombinacijskega člena se namreč znotraj segmentov lahko znatno spreminja, kar prinese pri izračunu numeričnega integrala precejšno napako. 3. ANALIZA OSVETLJENE p-i-n STRUKTURE a-Si:H SONČNE CELICE Kot primer smo analizirali p-i-n strukturo amorf-nega silicija, prikazano na sliki 3. Takšna struktura je tipična pri depoziciji a-Si:H na stekleno podlago, kjer najprej deponiramo p + plast z dodajanjem diborana. Zaradi prerazporeditve šibko vezanih borovih atomov p-i prehod ni stopničast. Analizirali smo osvetljeno strukturo. Svetloba jakosti enega sonca AM1 je vpadala skozi steklo na p+ plast. Slika 4 prikazuje krajevni potek koncentracij prostih elektronov in vrzeli pri različnih zunanjih prednapetostih. Te koncentracije so precej nižje, kot jih srečamo pri monokristal- 0.2 0.4 x [ v m ] 0.6 Slika 3: krajevna porazdelitev koncentracije primesi v obaravnavani p-i-n strukturi a-Si:H SC 0.6 0.6 Slika 4: krajevni potek koncentracij: a) prostih elektronov b) prostih vrzeli pri različnih zunanjih prednapetostih nem siliciju. Prvi vzrok temu je nižja intrinzična koncentracija n, zaradi širšega prepovedanega pasu v amorfnem siliciju, ki je tipično 1.5-2.0 eV (v obravnavanem primeru 1.8V). Drugi razlog pojasnjuje slika 5: večina prostih nosilcev je ujetih v lokalizirana stanja znotraj mobilnostne reže. 157 a) b) Slika 5: krajevni potek koncentracij: a) ujetih elektronov v lokalizirana stanja b) ujetih vrzeli v lokalizirana stanja pri različnih zunanjih prednapetostih Na sliki 6 je prikazan potek prostorskega naboja v p-i-n strukturi. Glavni prispevek k prostorskemu naboju, še posebej v ¡-plasti, imajo prav lokalizirana stanja. Negativen prostorski naboj v p+ plasti in pozitiven v n+ plasti sta zelo velika in posledica tega je močno vgrajeno električno polje (slika 7) skozi celotno p-i-n strukturo. To igra pomembno vlogo pri prehajanju generiranih prostih nosilcev s kratko življenjsko dobo skozi strukturo. Posledica strukturnih napak v a-Si:H je tudi izredno visoka stopnja rekombinacij (slika 8), ki še posebej narastejo v dopiranih plasteh, kjer se tudi gostota dovoljenih energijskih stanj v mobilnostni reži še dodatno poveča. Pri analizi je bila skladno 10ls x ( lira ] Slika 6: prostorski naboj v osvetljeni p-i-n a-SkH strukturi pri različnih zunanjih prednapetostih a) x [ um J b) Slika 7: krajevni potek: a) potenciala b) električnega polja v osvetljeni p-i-n a-Si:h strukturi pri različnih zunanjih prednapetostih 158 Slika 8: krajevni poteki rekombinacij z eksperimentalnimi ugotovitvami upoštevana korenska odvisnost naraščanja gostote stanj od dodanih primesi gmax(N) = gmax(N = 0) (1 +KtN1/2), (17) kjer je gmax ...maksimalna gostota določene vrste stanj N...koncentracija primesi, ki vplivajo na povečanje gostote stanj K....izbrana konstanta. Konstanta Kt je izbrana tako, da se pri koncentraciji primesi v razredu N = 1019 cm"3, maksimalna gostota stanj defektov poveča za približno 100-krat, maksimalna gostota stanj repov pa 10-krat. Rezultat celotne analize osvetljene p-i-n strukture je l-U karakteristika (slika 9). Napetost odprtih sponk je pri amorfnih silicijevih sončnih celicah višja kot pri monokristalnih, kratkostični tok pa je nižji. Zaradi strukturnih napak v a-Si:H je polnilni faktor slabši, razlog za nizek izkoristek je tudi v slabi gibljivosti nosilcev. 4. ZAKLJUČEK V predstavljenem delu so podane predvsem nekatere posebnosti, oz. razlike, ki se pojavijo v primerjavi s podobnimi analizami pri monokristal-nem siliciju. U„ = 20 cm2/Vs V„ = 1 cm2/Vs U0 = 1.03 V Xs== 15.36 mA FF = .80 "J = 13 % Slika 9: l-U karakteristika osvetljene (AM1) p-i-n strukture a- Si:H sončne celice 5. LITERATURA (1) M.Hack and M.Shur, J.Appl.Phys. 58, 997-1020, (1985) (2) J.I.Pankove (Volume Editor), Semiconductors and semi-metals, Volume 21, Hydrogenated Amorphous Silicon, Part A-C, (1984) (3) P.Viscor, Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 77&78, 37-46, (1985) (5) J.Robertson, J. of Non-Crystalline Solids, vol, 77&78, 37-46, (1985) (6) D.Adler, Solar Cells 21, 439-448, (1987) (7) F.Vaillant and D.Jousse, Mat.Res.Soc.Symp., Proc.Vol. 70, 143-147, (1986) (8) S.Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Springer-Verlag Wien New York, (1984) (9) F.Smole,J.Furlan,S.Amon, Zbornik referatov XV. jugoslovanskega posvetovanja o mikroelektroniki, Banja Luka, 277-284, (1987) (10) F.Smole, J.Furlan, S.Amon, Zbornik referatov XVI. jugoslovanskega posvetovanja o mikroelektroniki, Zagreb, 437-44 mag. F. Smole, dipl.ing Prof.dr. J. Furlan, dipl. ing. Prof. dr. S. Amon, dipl. ing. D. Senear,dipl.ing. Fakulteta za elektrotehniko, Laboratorij za nelinearne elemente, Tržaška 25, Ljubljana 159 DEFEKTI V POLPREVODNIŠKEM SILICIJU Miran Kramberger 1. UVOD Silicijev monokristal je osnova za izdelavo večine diskretnih polprevodniških elektronskih elementov ter integriranih vezij. Komercialno ga pridobivamo s kristalizacijo izredno čistega polikris-talnega silicija z upornostjo do 3 x 104 ohm cm po metodi Czochralski. Po tej metodi lahko pridobimo monokristale silicija v obliki valjev s premerom do 8 inch in upornostmi med 1 m Cl cm ter 70 il cm. Kot dopant za osnovno dopiranje monokristala u-porabljamo za p tip - bor, za n tip pa fosfor, arzen ali antimon. Surov monokristal je v sedanjem času brez zlogovnih napak, dvojčkov ali dislokacij, vsebuje pa točkaste defekte, ki pri poznejši obdelavi silicija tvorijo predvsem mikrodefekte v obliki mik-rodvojčkov, zlogovnih napak, precipitatov SiOx faze in dislokacij. 2. VLEKA SI MONOKRISTALA PO METODI CZOCHRALSKI Silicijev polikristal stalimo v kvarčnem lončku. Do tališča silicija 1420° C segrevamo z grafitnim grelcem, po katerem teče enosmerni električni tok. Vleka kristala poteka v atmosferi argona s pritiskom 18 torrov. | O NOSILEC KALI GRELEC KVARČNI LONČEK C_J> Slika 1: prikaz metode vlečenja monokristala po metodi Czochralski V talino pomočimo kristalografsko orientirano monokristalno kal in jo počasi vlečemo iz taline. Lonček s talino in kal rotirata v nasprotnih smereh. Tipična hitrost vleke kristala je 3 inch/uro. Tako izvlečen silicijev monokristal ima kristalografsko orientacijo kali. Običajno pridobivamo kristale z orientacijo osi v kristalnih smereh <1,1,1 >, <1,0,0> ali <1,1,0>. Večina defektov, že vgrajenih v surov monokristal, je posledica metode vlečenja. 3. OGLJIK IN KISIK V KRISTALU Talina je v kvarčnem lončku, ki je obdan z vročimi grafitnimi deli. Talina silicija razjeda kvarc z reakcijo Si + Si02 > SiO, zato sovtalini molekule ali skupki molekul SIO. Konvekcijski tokovi v talini nosijo SiO proti gladini. Na področju proste gladine SiO izhlapeva, na področju stika med monokri-stalom in talino pa se SiO vgrajuje v kristalno strukturo. Porazdelitev intersticijskega kisika po premeru kristala ima v zgornjem delu kristala zaradi močnejših tokov v talini obliko, prikazano na sliki 2. VRH KRISTALA Slika 2: porazdelitev kisika po premeru kristala na vrhu Pri dnu telesa kristala postane gibanje taline zaradi majhnega volumna oteženo, zato ima prečna porazdelitev intersticijskega kisika obiiko, prikazano na sliki 3. o > o z o , '< 10 Iši :x 7 DNO KRISTALA 20 30 40 50 60 70 RAZDALJAlmm ) Slika 3: porazdelitev kisika po premeru kristala 80 na dnu 160 Tudi maksimalne koncentracije intersticijskega kisika se spreminjajo v odvisnosti od dolžine že iz-vlečenega kristala. V zgornjem delu je eroziji taline izpostavljen večji del kvarčnega lončka, zato je talina bolj nasičena s kisikom in je najvišja koncentracija intersticijskega kisika približno dvakrat višja kot v spodnjem delu in znaša povprečno 8x10 atom/cm3. Ob telesu kristala piha argon, ki kristal hladi in odnaša pare ter delčke SiO stran od gladine taline in stika med kristalom in talino. Argon, v katerem so pare SiO, obliva vroče grafitne dele peči. Reakcija SiO z vročim grafitom poteka po reakciji SiO + 2C SiC + CO. CO se pri turbulentnem gibanju argona vnese v kristal na njegovo površino. Segregacijski koeficient med talino in kristalom znaša za kisik 1,25, za ogljik pa 7x10"2, zato je koncentracija kisika v kristalu mnogo večja kot v polikristalni surovini, koncentracija ogljika pa je le neznatno višja in znaša okrog 1 x 10 atomov/cm3. Tvorba defektov v kristalu se prične že ob kris-talizaciji taline. Le-ta ne poteka enakomerno po vsej stični ploskvi med kristalom in talino, marveč poteka kristalizacija prek drobnih kristalizacijskih centrov z velikostnim redom 0,1 mm. Ker kristal rotira okoli osi, potujejo ti centri prek področij z različno temperaturo, saj izoterme niso simetrične. Kristalizacijska jedra se zapored talijo in znova kristalizirajo. To je vzrok, da jedra emitirajo v okolico atome kisika ter posrkajo vase atome dopanta, ki imajo segregacijske koeficiente: fosfor - 0.35, bor -0.8, arzen - 0.3 ter antimon - 0.023. S tem nastajajo tako imenovani vrtinčni defekti, ki imajo zaradi rotacije kristala osno simetrijo. 'e 0 L--I----!_ 0 5 10 15 20 25 RAZDALJA OD ROBA KRISTALA (mm) Slika 4: spreminjanje upornosti kristala po premeru Na sliki 4 je prikazano spreminjanje upornosti kristala po premeru - striacije, ki je posledica nehomogene kristalizacije. Če privzamemo, da so kristalizacijska jedra okrogla s polmerom r, je prosta energija tvorbe jedra AG: A G = -( 4/3) ur3 LA T/im + 4ir r2 8 8 - površinska napetost med talino in kristalom L - specifična talilna toplota Tm- temperatura tališča A T- podhlajenje Če je kritični polmer r' = 28Tm/L A T, dobimo AG-^p^V/PT)2 Ravnovesna koncentracija kristalizacijskih jeder n, je AG, N - število atomov/cm3. Površinsko napetost med talino in kristalom o~ cenjujejo na okoli 0,2 J/m2 pri čistem siliciju. Če vzamemo za gostoto kristalizacijskih jeder 103 -104/cm3, bi morala biti lokalna podhladitev reda velikosti 100 K, da bi se tvorila jedra, kar pa je neverjetno. Vsebnost kisika v talini pa močno zmanjša površinsko napetost, zato je potrebna lokalna podhladitev, manjša kot 1K in je tvorba kristalizacijskih jeder možna. Volumen Si kristala je večji od volumna taline za okoli 10%, Rasi kristalizacijskih jeder povzroča nabiranje Si inter-sticijskih atomov v njihovi okolici, ki se pri ohlajanju urejajo v dislokacijske zanke in pozneje v zlogovne napake. Vpliv točkastih defektov na poznejšo rast večjih defektov je mnogo boij izrazit pri kristalih brez dislokacij, saj dislokacije delujejo kot ponor za Si intersticijske atome, hkrati pa pre- -prečujejo večje lokalne podhladitve. Pri procesu ohlajanja kristala na sobno temperaturo iz aglomeracij točkastih defektov rastejo kristalografski defekti, kot so zlogovne napake, precipitati SiOx, mikrodvojčki ter donorski kompleksi. Toplotna obdelava kristala pri temperaturi 450° C povzroča tvorbo kisikovih donorskih kompleksov z verjetno stehiometrijo Si04. Tvorba kris-talografskih defektov se prične pri toplotnih obdelavah pri temperaturi 650° C. 161 SUROV KRISTAL © © 9 ® ® □ e Oi ® ® C S. □ ® ® ® ® 4 5 Q ° C 6 50° C T. D. Si ; Ci y O- / SiOx amorfmi U| • PRECIPITAT 150°C MEJNA OISLOKACI JSKA ZANKA Si i ? N-0. 1100°C Slika S: model precipitacije kisika v kristalu pri ohlajanju in dodatnih toplotnih obdelavah pri različnih temperaturah Pri tej temperaturi nastajata dve vrsti defektov: kristalinična faza SiC>2 - koezit ter amorfni precipi-tati SiOx. Koezit nastopa v obliki palic v smereh <1,1,0>, z mejnimi ploskvami v ravninah (1,0,0). Velikost teh palic je okoli 100 nm. Ploščati SiOx precipitati ležijo v ravninah (1,0,0) in imajo premer okrog 1,5 nm. Obe obliki defektov sta koherentni tvorbi, v okolici pa napenjata kristalno mrežo. Ta napetost se delno sprošča z emisijo Si intersticljev v okolico pri rasti precipitata. Na prispeli kisikov atom se sprosti 0,3 silicijevega atoma. TEMPERATURA 1200 1100 1000 900 10' T(K) Slika 6: nasičena koncentracija kisika v Si monokristalu v odvisnosti od temperature 1000 700 600 500 1000 1100 1200 1300 U00 TEMPERATURA Slika 7: kinetika rasti precipitatov v SiOx faze pri različnih temperaturah. Parameter na sliki je začetna koncentracija intersticijskih atomov kisika v kristalu Pri temperaturah od 700 - 900° C izgine kristalinična Si02 faza, stabilni ostajajo le ploščati a-morfni precipitati kvadratne oblike z robovi v smereh <1,1,0>. Precipitati pri rasti emitirajo v okolico 0,5 silicijevega intersticija na 1 prispeli kisikov atom. Iztisnjeni Si intersticiji tvorijo dislokacijske zanke v ravnini precipitata, ki so zametki zlogovnih napak. Dislokacijske zanke delujejo tudi kot precipitacij-ska jedra za kisik in nečistoče v okolici. 162 Pri temperaturah med 1000 in 120u° C ostajajo amorfni precipitati, vendar spremenijo obliko. Preidejo v tridimenzionalne okiaedre z mejnimi ploskvami v ravninah (1,1,1) in oglišči v smereh < 1,0,0 >. Precipitati ne napenjajo okoliške kristalne mreže, saj dovolj hitro emitirajo Si intersticijske atome. Tipična velikost teh precipitatov je 15 do 20 nm. Okrog precipitatov so dislokacijske zanke in-tersticijskega tipa. Kinetiko rasti precipitatov in njihovo velikost določa ravnovesna koncentracija kisi kovi h intersticijskih atomov pri temperaturi toplotne obdelave. Tipičen čas, potreben za vzpostavitev ravnovesja pri temperaturah pod 1100° C je 100 ur. mKMSmmBBm "''"^MESHHMHi ■Ml -«P 'wMMancí mm "MrSSfk&BBB * =2^ o- m2)yz CD dt Irt _ac rc CD = gv(Cve, - Cv) Dv + g (Ci-Cie.) Di b - Burgerjev vektor mejne parcialne dislokacije (3,14 x 10"8 cm) DVjDi - difuzijski koeficient vakanc in Si intersticijev v - volumen točkastega defekta (2 x 10"23 cm3) g - delež pri rasti zlogovnih napak (med 0 in 1) Cvji - koncentracija vakanc ter Si intersticijev Cveiie - ravnovesna koncentracija vakanc in Si intersticijev rc- polmer zlogovne napake OME JILNA DISLOKACIJSKA ZANKA SS •„> 1 11., p ! Tü ¡ I ti -H >' , , n >f > i ¡ ' , , '.Í i * 'H i i \',i m ' i .1! <« 50 ¡i ( i * j {®t i (iiati SiO;< -kazuje s". ¡GUU VAH ^ o^T^nti f-T^ir-iih r'r!i ,!rjr >-o} nuk- i( i I t i >, i i i ! ) i ' rira- s r i i i 1 i, v rkajo v t m ¡i v i> \ 1 )i ( m ih h I rasti Zi ij i ) 1 i i I (li i , t oflOSt V 'in! | i l| lic tOV V ti i i, II, i j Hi i K 1 0° C 0<< i k1 I i' ' liti ll! ,i )i |! j, saj jr ij i i j i 11 i t i tu rake poaaja enačDa Slika 9: model rasti zlogovne napake pri rasti precipitata SiOK faze 10 100 1000 Čas napuičanja (min.) Slika 10: slika podaja kinetiko rasti zlogovne napake pri različnih temperaturah toplotnih obdelav Si monokristala 163 Na slikah so podane odvisnosti Dv, Dj, Cve od temperature. tališče TEMPERATURA tališče TEMPERATURA ( °C ) 1400 1200 1100 1000 9 00 800 Slika 11: temperaturna odvisnost difuzijskega koeficienta Si intersticijskih atomov icr °c) 1000 o z: —■ <; i/i o uj o u_ UJ O 10-7 _ 10-i LO 'M zd O 10" \ 1 \ \ \ s - - \ - \ \ \ 6. 7 IOVHK-1) Slika 13: temperaturna odvisnost difuzijskega koeficienta vakanc v Si monokristalu 5. NASTANEK ZLOG OVNI H NAPAK PRI MEHANSKIH OBREMENITVAH KRISTALA Mehanske napetosti v kristalu povzročajo elastične deformacije, dokler ne dosežejo kritičnih vrednosti. Na kritično vrednost napetosti vplivata temperatura in koncentracija intersticijskega kisika, ki preprečuje zdrse kristalografskih ravnin. tališče TEMPERATURA (°C) .18 |tt00 130 0 1200 110Q 100Q 10VT ( K"1 Slika 12: temperaturna odvisnost ravnovesne koncentracije vakanc v monokristalu center rob precipi tiran kisik (tO" atom/cm3 700 800 900 1000 TEMPERATURA ( °C ) 1100 Slika 14: temperaturna odvisnost kritične napetosti v Si. monokristalu. Parameter je koncentracija intersticijskega kisika v monokristalu 164 Slika 15: na sliki je TEM posnetek inikrodvojcka ter meja med preclpitatom koezita in kristalom. Ukionski refleksi kažejo na to, da je ravnina dvojčenja (1,1,1) Silicij kristalizira v diamantno strukturo, za katero so značilne dvojčične in zdrsne ravnine tipa (1,1,1). Pri mehanskih napetostih v temperaturnem območju med 400 in 700° C manjših kot 260 M Pa se pojavljajo le zdrsi ravnin, dvojčenje pa se pojavi pri napetostih večjih kot 300 MPa. Dvojčična ravnina je sestavljena iz zaporednih dvojčičnih par cialnih dislokacij z Burgerjevim vektorjem b = 1 /6 < 1,2,1 >. Le-te nastanejo z disociacijo zdrsnih dislokacij z Burgerjevim vektorjem b = 1/2 <0,1,1 > prek reakcije 1 [011] -- J. [121J + 1 [112 ] 2. 6 6 do tako velikih mehanskih napetosti pride pri hitrem ohlajanju ali segrevanju rezin Si monokris-tala. 6. ZAKLJUČEK Mikrostrukturni defekti v monokristalnem siliciju izhajajo povečini iz aglomeracij točkastih defektov, nastalih pri kristalizaciji taline in ohlajanju kristala. To so precipitati SiOxfaze, dislokacije in zlogovne napake. Ostali defekti, kot so dvojčenje in zdrsi kristalografskih ravnin se pojivjin n-i mehanskih obremenitvah kristala aH k< t t j temperaturnih gradientov v kristalu, toplotno obdelavo lahko pripravirnc talne rezine brez vseh defektov in tako i hi i i n njihov vpliv na električne lastnosti. To i " ' ostaja monokristalni silicij osnova tudi u > ULSI integriranih vezij. 7, LITERATURA 1. A. Remigliato, D. Nobili, and S. Solmi, A. Bourret, P. Verner ELECTRON MICROSCOPY OF AS SUPERSATURATED SILICON 2. H. L. Tsai, E. E. Stephens and F. O. Mayer OXYGEN PRECIPITATION IN HEAVILY BORON-DOPED SILICON CRYSTALS 3. L. D. Marks, D. J. Smith HREM AND STEM OF DEFECTS IN M U IT IP LY-TVVIN N ED PARTICLES 4. S. E. Bradshaw, J. Goorlssen SILICON FOR ELECTRONIC DEVICES 5. H. M. Liaw OXYGEN AND CARBON IN SILICION CRYSTALS 6. K. Yasutake, S. Shimizu, H. Kawabe ANALYSIS OF THE EFECTIVE STRESSES ACTING ON TWINNING PARTIAL DISLOCATIONS IN SILICON 7. K. Yasutake, S. Shimizu, M. Umeno, H. Kawabe VELOCITIY OF TWINNING PARTIAL DISLOCATIONS IN SILICION 8. A. E. VViclmer, W. Rehwald THERMOPLASTIC DEFORMATION OF SILICON WAFERS 9. L. Jasirzebski, R. Loydan, J. Mc Ginn, R. Kleppinger, M. Biumenfelt, 6. Gillespie, N. Armour, B. Goldsmith, W. Henry, S. Vacrumba A COMPARISON OF INTERNAL GETTERING DURING BIPOUR, CMOS, AND CCD (HIGH, MEDIUM, LOW TEMPERATURE) PROCESSES 10. R. A. Craven, H. W. Korb INTERNAL GETTERING IN SILICON 11. B. Leroy, C. PlougonvenWARPAGE OF SILICON WAFERS 12. K, Wada, N. inoue POiNT DEFECTS AND STACKING FAULT GROWTH IN SILICON 13. L. C. Kimerling, J. M. Parsey THIRTEEN INTERNATIONAL CONFERENCE IN DEFECTS IN SEMICONDUCTORS 14. J. Narayan, T. Y. Tan MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS DEFECTS IN SEMICONDUCTORS mag.Miran Kramberger, dipl.ing. ISKRA ELEMENTI, TOZD Polprevodniki Trbovlje, Gabersko 12 165 POVRŠINSKA ZAŠČITA OPTIČNIH VLAKEN Jože Brvar 1. UVOD Površino optičnih vlaken, ki se uporabljajo v telekomunikacijah, je treba zaščititi s polimernimi masami, zato da dosežemo zadovoljivo mehansko trdnost, podaljšamo življenjsko dobo (najboljša zaščita zagotavlja delovanje vlaken tudi prek 30 let), da zmanjšamo možnost preostrega zvijanja vlakna, in da povečamo obstojnost na abrazijo. Materiali za zaščito morajo torej ustrezati raznolikim fizikalnim in kemijskim kriterijem zaradi posebnih tehnik nanašanja in zaradi vpliva na zahteve končne karakteristike svetlobnih vodnikov. Na primer: steklo morajo dobro omakati, imeti morajo dobro oprijemljivost, njihovi polimeri pa morajo biti kemijsko odporni, še zlasti proti nabrekanju, ki nastopa ob prisotnosti vode. Pod vplivom UV svetlobe ali toplote morajo hitro polimerizirati, kar o-mogoča velike hitrosti vlečenja. Tem zahtevam ustrezajo: akrilati, imidi, nekateri acetati, delno silikoni in njihovi ustrezno modificirani produkti. Na steklena vlakna se nanašajo med postopkom vlečenja in sicer v enem ali več slojih. V področju za optične komunikacije Centra za elektrooptiko smo razvili tehnike za nanos enojne silikonske in poliimidne ter dvojne akrllatne zaščite. Največ vlaken zaščitimo z uretan in epok-si akrilati, medtem ko silikonsko zaščito uporabljamo le za specifične zahteve. 2. SILIKONSKA ZAŠČITA Kemijsko gledano so to dvokomponentni pripravki, raztopine alkilsilanov v reaktivnih topilih. Njihove polimere odlikujejo velika inertnost na vlago, skoraj zanemarljiva depolimerizaclja in možnost spreminjanja lomnega količnika v širokem območju. Ta je lahko višji od kvarčnega stekla, kar omogoča zaščito vlaken s profiliranim steklenim jedrom, ali pa nižji od kvarca, kar pa omogoča izdelavo PCS vlakna (plastic clad silica). Masovnejšo uporabo silikonov, kot primarno zaščito omejujejo: relativno dolgi časi utrjevanja (15 min pri temperaturi 150 C), kar omejuje hitrost vlečenja vlakna, lepljiva površina zaščite, kljub popolni zamre- žitvi, kar predstavlja težave pri previjanju in kabliranju, SiH skupine so potencialni izvor H+ ionov, ki vplivajo na povečanje dušenja v vlaknu. 3. POLIIMIDNA ZAŠČITA Poliimidi so novejši materiali, ki polimerizirajo pri relativno visokih temperaturah (350° C). Zaščitni filmi so zelo tanki (2 - 5 um) in niso optično aktivni. Vlakna, zaščitena s temi premazi, se uporabljajo v apljkacijah pri povišanih temperaturah (do 600° C). Čistost in homogenost tega materiala je še vedno vprašljiva, kar se odraža na poslabšanih mehanskih lastnostih tako zaščitenega vlakna. 4. AKRILATNA ZAŠČITA Polimerni sistem z akrilatnimi funkcionalnimi skupinami so za zaščito optičnih vlaken najustreznejši pa tudi najbolj raziskani. Utrjujejo pod vplivom UV svetlobe, v nasprotju s silikoni polimerizirajo zelo hitro (čas popolne konverzije je 1 s pri dovedeni energiji 3 J/cm2), kar dopušča velike hitrosti vlečenja (do 300 m/min). Po utrjevanju so zaščitni sloji nelepljivi, trdni in stabilni v zahtevanem temperaturnem območju od -65° C do + 80° C. Zaradi nelepljive in gladke površine akrilati povsem ustrezajo tako pogojem masovne proizvodnje optičnih vlaken kot zahtevam modernega kabliranja. Tipične akrilatne zaščitne premaze sestavljajo: oligomerne komponente, ki predstavljajo osnovo premazov in se lahko razlikujejo po strukturi glavne verige, funkcionalnosti in molekulski teži (epoksi, poliestri, polietri, poliester-ure-tan, polleter-uretan). Le-ti so zaestreni z akril-no kislino, oz. obdelani z diizocianatom ali hi-droksiakrilatom. aktivna razredčila, ki so lahko mono- ali več-funkcionalna, znižujejo viskoznost premazne-ga sistema in z oligomerom utrjujejo. Takšna aktivna razredčila so lahko: trlmetilopropen tri-akrilat, heksandioi diakrilat, trietilenglikol akri-lat, neopentilglikol diakrilat, tetraetilenglikol diakrilat, hidroksietil akrilat, etoksietil akrilat, N-vinilpirolldon, itd. fotoiniciatorji: pod vplivom svetlobe (X = 300 -400 nm) tvorijo proste radikale, ki sprožijo 166 polirnerizacijo in nadaljnje zamreženje. Izbira tipa in koncentracije bistveno vpliva na potek in stopnjo polimerizacije, s tem pa tudi na fizikalne lastnosti polimera (trdoto, raztezek, na-tezno trdnost, elastični modul, Tg, itd). Takšni fotoiniciatorji so: benzoinizopropileter, dietok-siacetonfenon, benzildimetil ketal, benzil-O-e-toksikarbonil monoksim, benzofenon/N-N di-metil etanol amin. inhibitorji, ki preprečujejo polirnerizacijo v času skladiščenja in nanašanja (monoetileterhi-drokinon, hidrokinon, ferotiazin). dodatke za uravnavanje tečenja dodatke za adhezivnost dodatke za prenos polimerne verige dodatke za površinske efekte mehčala druge reaktivne dodatke barvila S kombinacijo vrste in količine naštetih komponent lahko pod enakimi pogoji polimerizacije dobimo celoten spekter utrjenih premazov z različnimi fizikalnimi in kemijskimi lastnostmi. 5, TEHNIKA NANOSA Še nekaj besed o tehniki nanosa primarne zaščite na optična vlakna. Osnova za izdelavo vlaken je surovec (preform), ki ga izdelamo po metodi MCVD (modificirana kemijska parna depozicija). Surovec izvlečemo v vlakno na vlečnem stolpu (slika 1). V isti liniji vlakna (debeline 125 |xm) prevle-čemo s primarno zaščito (običajno v dveh slojih, prvi je mehkejši, drugi trši) s pomočjo posebne naprave, ki jo imenujemo aplikator za primarno zaščito (slika 2). Ta priprava je sestavljena iz rezervoarja in kalibrirane kapilare. Doziranje zaščitnega premaza je avtomatsko, tvorba zaščitnega filma (debelina 60 - 70 jim) pa poteka pod pritiskom (0,5 - 2 bar). Konstrukcija aplikatorja je takšna, da zagotavlja vse potrebne hidrodinamske pogoje za tvorbo kompaktnega in enakomernega zaščitnega filma po vsej dolžini vlakna. Centričnost zaščitnega sloja, glede na vlakno (toleranca ± 5 ¡xm), dosežemo s pomikanjem aplikatorja z mikromanipula-torji, ob hkratni kontroli s pomočjo posebnega laserskega merilca. Sledi polimerizacija s pomočjo UV svetlobe (naprava je shematično prikazana na sliki 3) ali z vplivom povišane temperature, pač odvisno od izbranega tipa zaščite. ¡ l podajanje preforma s konstantno hitrostjo u preform i sistem za centriranje preforma t talilna pec merilnik debeline in položaja vlakna plavajoča soba za nanašanje primarne zaščite sistem za polirnerizacijo navijalni kotut s konstantnim navorom Slika 1: shema vlečnega stolpa Trenutno izdelujemo optična vlakna s primarno zaščito s hitrostjo 90 m/min. V načrtovanem industrijskem pogonu pa bomo na višjih stolpih za vlečenje dosegli hitrosti okrog 180 m/min. --------roiri$¥ 3----— VA*WHiBAK>C HSHOSlA'Hatu v00i MU8»'»AHA IARIA8A SlíílfdO Vi ASMO Slika 2: aplikator za primarno zaščito 167 6. ZAŠČITENA OPTIČNA VLAKNA V redni proizvodnji imamo tri tipe optičnih vlaken. Za PCS uporabljamo silikonske premaze, za mono in mnogorodovna pa akrilatne. PCS optično vlakno ima stopničasti profil lomnega količnika v izvedbi steklo/silikonski polimer. To je svetlobni vodnik, ki se uporablja za prenos omejenega števila informacij na relativno kratkih razdaljah (povezave med računalniškimi terminali v zaprtih prostorih, prenos informacij v letalih, avtomobilih in plovilih). Prednost PCS vlakna je v enostavni izdelavi (izognemo se izdelavi preforma) in temu sorazmerno nizki ceni. Optične lastnosti, ki jih dosežemo pri takšni izvedbi vlakna, so: slabljenje pri 850 nm: manj kot 10 dB/km pasovna širina pri 850 nm: 40 MHz.km numerična apertura: 0,39 Optične karakteristike mnogorodovnih in eno-rodovnih vlaken z dvojno akrilatno zaščito pa so naslednje: mnogorodovna vlakna: slabljenje (850 nm): manj kot 2,7 dB/km slabljenje (1300 nm): manj kot 1 dB/km pasovna širina (850 ali 1300 nm): 600 - 800 MHz.km numerična apertura: 0,2 enorodovna vlakna: slabljenje (1300 nm): rnanj kot 0,4 dB/km slabljenje (1550 nm): manj kot 0,3 dB/km disperzija: manj kot 3.5 ps/nm.km na intervalu 1285 - 1330 nm LJ -SIEKIEHO VUiKO -»PIHAVAIUE DUŠIKA K - SUMICH SEFLEK10» - Hg ZAfiKICA Slika 3: aplikator za primarno zaščito 7. ZAKLJUČEK Ugotovili smo, da bi bila sinteza domače zaščite ekonomsko neupravičena, ker bi bazirala izključno na uvoženih surovinah. Tehnike nanosa zaščite za optična vlakna smo razvili sami, prav tako aplikator, kjer je na originalen način rešen problem centriranja zaščite na vlakno (prijavljena inovacija). Z lastnim znanjem smo osvojili zahtevno tehnologijo izdelave in zaščite optičnih vlaken. Tako lahko tržišču ponudimo optična vlakna, ki po karakteristikah v ničemer ne zaostajajo za vlakni, ki jih izdelujejo proizvajalci s svetovnim slovesom. Dr. Jože Brvar, dipl. ing. Iskra - CEO, Stegne 7 61210 Ljubljana 168 ELEKTRONSKI REGULATOR JALOVE ENERGIJE KRK22XX Dušan Zore 1. UVOD V času, ko postaja energija vse dragocenejša in je varčevanje s to dobrino nujno, lahko kompenzacija jalove energije bistveno prispeva k racionalnejši uporabi električne energije. V DO Iskra Kondenzatorji, Semič, že nekaj časa izdelujemo kompletne naprave za kompenzacijo jalove energije. Obstoječi regulator, tako po kakovosti, kot po zasnovi ni več ustrezal zahtevam trga. Zato smo razvili novega, ki je tehnično in tudi oblikovno na ravni podobnih tujih izdelkov. 2. OPIS DELOVANJA ELEKTRONSKEGA DELA REGULATORJA Naloga regulatorja je, da meri velikost jalove komponente energije in glede na rezultate meritve vklaplja kondenzatorje za kompenzacijo tako, da je cos 9 sistema čim bliže nastavljeni vrednosti. Na blokovni shemi na sliki 1 vidimo osnovne podsestave regulatorja. R 5 1 OlMpI Slika 1: blokovna shema osnovnih podsestavov Merilni del Naloge merilnega dela so zajemanje informacije o toku in napetosti iz omrežja, meritev faktorja moči in posredovanje tega podatka v ustrezni obliki naslednji stopnji. Avtomatični regulatorji uporabljajo različne kriterije za regulacijo jalove energije in sicer: tok, napetost, čas, jalovo moč, faktor moči in kombinacije več načinov. Vsaka od teh metod ima svoje prednosti in pomanjkljivosti, vendar se pri sodobnih nizkonapetostnih regulatorjih uporabljata predvsem dve metodi: merjenje jalove moči in merjenje faktorja moči. Pri razvoju merilnika smo se odločili za kombinacijo obeh metod in s tem združili dobre lastnosti obeh načinov meritve. Za merjenje faznega kota smo izbrali princip detekcije prehodov toka in napetosti skozi nič. Slika 2: blokovna shema merilnega dela Na sliki 2 je prikazana blokovna shema merilnega dela. Karakteristika cos ip-metra je primerna za regulacijo jalove energije v območju od približno 02 Pn do Pn,, odvisno od števila in velikosti posameznih kon-denzatorskih stopenj. Pod tem območjem pa postane jalova komponenta moči manjša od moči najmanjšega kondenzatorja. Da se izognemo stalnemu preklapljanju najmanše stopnje, pokriva območje minimalnih o- 169 bremenitev merilnik jalove energije, ki blokira delovanje regulatorja, če pade jalova komponenta e-nergije pod nastavljeno vrednost. Na sliki 3 je prikazana delovna karakteristika regulatorja. Kot že ime pove, je program univerzalen. To pomeni, da je uporaben ne glede na število sto penj in ne glede na razmerje med velikostjo posameznih stopenj. Tabela ponazarja delovanje programa \ \ ____ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ Slika 3: fazorski diagram delovanja regulatorja KRK Merilni del regulatorja ima možnost interne korekcije faznega kota v mejah od 0° do 180°. To nam omogoča enostavno prilagoditev merilnika za enofazno ali medfazno priključitev regulatorja. Programski del Programski del vsebuje program, po katerem regulator vklaplja, oz. izklaplja izhodne stopnje. Zahteve, ki naj bi jih program Izpolnil, so: čim hitrejše približevanje želeni vrednosti, univerzalna uporabnost programa, minimalno število preklopov, enakomerna razporeditev preklopov po stopnjah. Vidimo, da si te zahteve nasprotujejo. Zato je pri sestavljanju programov nujno iskanje kompromisnih rešitev. Mi srno izbrali tako imenovani univerzalni krožni program. To je program, ki je bil uporabljen pri starem tipu regulatorja KRK in se je izkazal kot dober. vklop izklop 1 2 3 4 5 6 1 0 x 1 0 x x 1 0 x X X 0 1 x x 0 1 X 1 0 x x Program začne z vkiapljanjem/izklapijanjem pri najnižiji izklopljeni /vklopljeni stopnji. Čas med preklopom posameznih stopenj je zvezno nastavljiv v območju od 8 s do 80 s. Za ta del regulatorja smo skupaj z Iskro Mikro-elektroniko razvili namensko vezje, ki v okrovu z 28 nožicami združuje vse digitalne funkcije regulatorja. S tem smo dosegli približno 25% skrajšanje časa montaže in servisnih posegov. Delež uvoženega materiala se je skrčil na minimum. Prav tako pa je vezje omogočilo zmanjšanje dimenzij celotnega regulatorja. Izhodna stopnja Funkcija izhodnega dela je krmiljenje kontak-torjev, ki vklapljajo posamezne kondenzaiorske stopnje. Uporabljeni so Iskrini miniaturni releji TRM 2712F. Nadzor in zaščita Pri razvoju smo skušali regulatorju vgraditi dodatne funkcije, ki bi bile v pomoč uporabniku in ki bi nadzirale delovanje regulatorja. Vezje za nadzor aktivira rele, ki služI za daljinsko javljanje okvare v naslednjih primerih: nepravilna priključitev tokovnega transformatorja, nezadostna kompenzacija a!i prekompenzaci- ja, do katere pride zaradi okvare kontaktorja 170 ali kondenzatorja ali nepravilno dimenzionira-ne kompenzacije, okvara merilnega dela regulatorja. V primeru izpada napajalne napetosti kontak-torjev, regulator izklopi vse izhode in jih po vrnitvi napetosti vklaplja po programu. 3. Mehanska konstrukcija Regulator je vgrajen v kovinsko ohišje globine 100 mm. Konektorza priključitev je na zadnji strani. Uporabljene so vzmetne vrstne sponke „WAGO". Na čelni plošči sta gumba za nastavitev parametrov delovanja, folijski tipki za ročno krmiljenje in svetleče diode za signalizacijo vklopljenih stopenj, karakterja obremenitve sistema, načina delovanja in svetleča dioda ALARM. Čelna plošča je povsem ravna, brez štrlečih delov, ki bi se pri padcu lahko poškodovali. 4. Tehnični podatki Priključitev: ........enofazna (v isti fazi, kot je ..................tokovni transformator), na .........................zahtevo medfazna Napetost meritve: .....50 V do 260 V 50 Hz, na ............................zahtevo 60 Hz Nazivni tok meritve: ..............5 A in 10 A Napajalna napetost: ........... 220 V ± 10% Poraba regulatorja: - napajalni del: ................. 15VA maks - tokovni del: ...............2 VA pri I n = 5 A - napetostni del: .........0.2 VA pri U = 220 V Stikalna zmogljivost izhodnih relejev: .. .220 V/10 A Čas med preklopi:.........8 s do 80 s zvezno Delovna temperatura okolice: .......... -10°Cdo +50° C Nastavitev: ...........fazni kot cos cp 0,85 ind .............................do 0,95 kap, .............občutljivost C/k 0,05 A do 1,2 A Preskusna napetost proti okrovu: ..... . 2 kV, 50 Hz, 1 min Varnostni razred: Delovanje: .............ročno, avtomatično Dimenzije čelne plošče: ......!. 144 x 144 mrn Globina s konektorjem:.............. 107mm Masa:...............................2 kg 5. Zaključek Rezultati meritev kažejo, da regulator izpolnjuje vse zahteve, postavljene na začetku razvoja, nekatere pa celo presega. Prav tako izkušnje uporabnikov potrjujejo upravičenost in uspešnost opravljenega razvojenega dela. Dušan Zore, dipl. ing., Iskra Industrija kondenzatorjev, DSSSRTS, oddelek za elektroniko, Semič 171 OSVAJANJE SMD TEHNOLOGIJE U SOUR-u ISKRA A. Cesnik, D. Uvodič, J. Oblak Referat na savetovanju Aspekt primene tehnologije površinske montaže" u KOV Beograd, 28.4.1988 u Vojno tehničkom institutu Opšta usmerenja elektronske industrije u svetu ka poboljšanju kvaliteta te pouzdanosti elektronskih uredjaja, izgradjenih na osnovi tehnologije štampanih kola i hibrida omogučila su radjanje nove tehnologije, koja ima za osnovu štampana kola a sastavni delovl izradjeni su bez priključaka i direktno lemljeni na podlogu, što je dalo vanredne rezultate, tako u pogledu smanjenja volumena, površine, težine kola kao i mogučnosti automatiza-cije i robotizacije. Istovremeno omogučeno je bilo izradjivanje plosnatih uredjaja koji su prikladni za nošenje u odjelu. Na toj osnovi razvili su se džepni kalkulatori, magnetofoni, diktafoni, radioprijemnl-ci, govoreče dopisnice, lične karte i ključevl za elektronske brave i uredjaje za kontrolu pristupa na radno mesto i još mnogo ostalih prlmena. Sve to je prilično brzo zauzelo maha u stvaran-ju nove tehnologije pod nazivom tehnologija površinske montaže sa skračenicom SMT (Surface Mounting Technology). Na osnovu toga počela seje razvijati i nova tehnologija sastavnlh delova za takvu montažu. Naj-prije su bili usvojeni mnogoslojni keramički kon-denzatori, koji su ¡mali u svome sarnom početku još žičane izvode a srazmerno brzo je bilo ustanovljeno, da su žice suvišne i da je moguča direktna montaža na štampanu ploču. Ne dugo iza toga pojavili su se chip otpornici u MELF i CI P obliku i to u debeloslojnoj kao i u tankoslojnoj tehnologiji. Sve to je imalo takodje uiecaj na poluprovodničke sastavne delove. Najprije su počeli upotrebljavati čl pove s direktnom montažom na podlogu sa od-govarajučom tehnologijom spajanja sa vezama na podloži. Kod toga su iskrsli problemi koji su za iz-vesno vreme usporill upotrebu takvih čipova u toj tehnologiji. Sa uvodjenjem nosioca tableta nastala je prava mogučnost normalne tehnologije površinske montaže. Kod toga je došlo do preokreta I Iz dosadašnje ručne I automatizovane proizvodnje prešlo se na robotsko nanošenje sastavnih delova čirne je bilo omogučeno znatno povečanje brzine montaže sastavnih delova. Sva dosadašnja dostignuča montaže, šta m pane podloge, brzina nanošenja delova te masovno lemljenje omogučili su srazmerno jeftinu montažu komplikovanih uredjaja. U prvim vremenima je bilo oduševljenje veliko a problemi koji su iskrsli, nekoliko su usporili predvidjeni trend te tehnologije. Do-šla je doba Istreznenja i time normalni tok daljeg usvajanje te tehnologije. U SOUR Iskra počeli smo sa organizovanim pristupom osvajanja SMD več u 1984 godinl. Oz-biljnost razvoja SMD bila je potvrdjena 1984 godi-ne kada su naši stručnjaci na sajmu „Pro-ductronika 84" ustanovili oblm prikazanih uredjaja za montažu SMD. Tako smo več u 1985 godini or-ganizovano pristupill u okviru projektnog saveta 12, koji obuhvata strategiju tehnološkog razvoja u SOUR-u Iskra ka osvajanju SMT (Surface Mounting Technology) i SMD (Surface Mounting Devices). U projektnom savetu 12 gde imaju sve RO Iskra vlastite predstavnike bloje oformljen podpro-jekat „Osvajanje tehnologije SMD". U ovaj projekat su se uključlle i RO Iskre i to RO ELEMENTI, RO KIBERNETIKA, RO DELTA, RO AVTOMATIKA, RO TELEMATIKA, RO ISEZ i RO I KM. Prvobitan koncept razmišljanja I cilj u SOUR-u Iskra blo je sledeči: „Optimalna organizacija proizvodnje proizvoda sa upotrebom SMD elemenata". Ova polazna tačka bila je postavljena ispred grupe kao zadatak za organizovanje razvojnog rada koji bi se odvijao što racionalnije i da kod toga ne bi došlo do preklapanja razvojnih zadataka. Rad u grupi bio je podeljen tako, da svaki pokrije one faze rada za koje je najbolje kvalifikovan, ukratko da ima odgovarjajuča razvojna iskustva, opremu i ka-drove. U cilju koordinacije grupa se redovito sas-taje i menja postignuta saznanja, informacije i probleme. Zadatak je tako postao operativan i pod-uprt sa finansijskim sredstvlma SOUR-a. Kao jed-no izmedju pitanja Ispred grupe se postavilo pitanje „Hi organizovati proizvodnju podsklopova u SMD tehnici na jednom mestu u samo jednoj rad-noj organizaciji ili če razvoj proizvoda (velikoserlj-ske i maloserijske proizvodnje) i proizvodnje omo-gučiti obzirom na razvoj opreme optimalnu orga-nlzaciju kod svake od zainteresovanih radnih organizacija. Na osnovi takvih dilema i pitanja grupa je počela svojim radom. Projekt je u toku več treču godlnu 172 i došli smo do saznanja da je tehnologija SMD potrebna svakoj modernoj proizvodnji elektronskih uredjaja. U Iskri smo došli još dalje tako da može-rno kupcu nuditi več prve proizvode gde su ugrad-jeni SMD elementi i da je proizvod u cjelini izradjen u Iskri. Na osnovu dosadašnjih radova razrešili smo sledeče faze u razvoju tehnologije SMD: konstruiranje kola u SMT izbor sastavnih delova za SMD izrada podloge za SMD nanošenje lepka na podlogu polaganje sastavnih delova na podlogu lemlenje montiranih sastavnih delova čiščenje montiranih pločica kontrola montiranih pločica remont nefunkcionalnih pločica bondiranje poluprovodničkih čip komponena- ta inkapsuliranje čip komponenata, koje nama sada služe za izradu prototipova, koji se pripremaju za proizvodnju. Projektovanje kola U Iskri imamo dva programska paketa za raču-narsko projektovanje štampanih ploča. Kod stva-ranja baze podataka došli smo do dilema ili kupiti bazu podataka kod poznatih proizvodjača (Siemens, Philips, itd) ili graditi vlastitu bazu podataka. Kod kupovine baze podataka omogučena je upo-treba elemenata samo za izabranog dobavljača programa i potrebno je dogradjivati. Samostalna izgradnja baze podataka omogučava veču fleksibilnost kod izbora dobavljača SMD elemenata i ve-či izbor vlastitih tehnoloških mogučnosti u proizvodnji. Pošto samo prividna izgradnja baze podataka nema nikakve koristi, postavilo se je novo pitanje, koje elemente uključiti u banku podataka, iz čega od mah proizlazi pitanje koje proizvode želimo pro-izvoditi u SMD tehnologiji. Na pitanje koje proizvode hoče proizvoditi u SMD tehnologiji morali su odgovoriti razvojnici proizvoda. Za pomoč dali smo jim upitnik na kojem smo definisali sve zahtjeve koji su omogučili dalji razvoj SMT. Na osnovi upitnika dobili smo odgovore kako sledi: proizvod, plan osvajanja, planiranje godišnje količine, željeni rok osvajanja, žel- jeni rok redovite proizvodnje, definisani elementi koji če biti upotrebljeni, podloge na koje če biti montirani SMD elementi itd. Dakle pristup koji nije često uobičajan u našoj industriji. Podatke koje smo uspjeli sabrati istovremeno su neke radne organizacije takodje več definirale proizvode kod kojih smo verifikovali postignuto znanje. Na osnovi sabranih podataka bili smo svijesni nedefinisanosti želja, predloga raznorodnosti zah-tjeva. Odluka je došla sama „BANKA PODATAKA SE GRADI I PROŠIRUJE SAMO ZA DEFINISANE ELEMENTE, ZA DEFINISANE PROIZVODE SA PROPISANOM MONTAŽNOM TEHNOLOGIJOM,,. Iz svega toga proizlazi da danas u Iskri može-mo konstruisati sva zahtjevna štampana kola za SMD pod uslovom da razvoj predhodno definiše predvidjene elemente i montažnu tehnologiju. Konstruisanje je dakle omogučeno sa računar-skom podrškom što omogučava vanrednu fleksibilnost kod izrade novih „lay~outova„ uz moguče izmene. Upotrebljeni elementi Na osnovi upitnika došli smo do saznanja kak-ve SMD elemente žele upotrebiti razvojnici u novim proizvodima i tako izgradili bazu podataka. Prvi problem pojavio se več kod izbora dobavljača SMD elemenata, pošto kod analize troškova koji mogu nastupiti, bilo je nužno zahtijevati od dobavljača atest elemenata, gde je takodje garancija za kvalitet tako funkcije elemenata, lemljivosti i dobave elemenata u željenoj embalaži. Svaka u potreba elemenata nižeg kvalitetnog ranga postavlja ispred potrošača elemenata zah-tjev po specijalnoj opremi za testiranje i sortiranje odnosno prouzrokuje povečanje troškova u proizvodnji (montaža, funkcionalno testiranje, reparatu-ra i ponovo funkcionalno testiranje). Na području proizvodnje sastavnih delova za površinsku montažu postigli smo serijsku proizvodnju višeslojnih keramičkih kondenzatora, otpornika u MELF i čip izvedbi, priprema se proizvodnja čip prigušnica, minijaturnih potenciometa-ra za površinsku montažu, termistora a iz dopunskog programa nudimo diode i tranzistore. U pripremi su takodje integrlsana kola u keramič-kim nosiocima čipova - LCCC, dvoslojnom kera-mičkom izvedbom nosioca čipova sa L izvodima, plastičkim nosiocima čipova sa nožicama - PLCC i laminatnl nosioci čipova bez nožica. Za sve komponente su u pripremi takodjer 173 odgovarajuče vrste blister pakovanja priredjeno za upotrebu na automatizovanim ili robotizovanim linijama. Kod izrade sastavnih delova za SMD kola jasna je činjenica, da je potrebno još mnogo urad iti na području osvajanja sastavnih delova jer jedino kroz praktičnu upotrebu moguče je odkloniti sve one sičušne probleme koji se javljaju u praksi. Izbor substrata U Iskri kao osnovne substratne materijale upo-trebljavamo ili laminate (FR 4) ili metalne substrate. Pretežno predvidjamo montažu SMD elemenata na štampane ploče. Ova konstatacija i analiza predvidjene upotrebe SMD elemenata pokazali su, da je nužno razviti takodje kvalitetnu proizvodnju štampanih kola na koje če biti omogučena montaža SMD elemenata iz največeg ranga zahtjevno-sti. Saradnja Iskre sa firmom IBM koja Iskri dobavlja več danas višeslojna štampana kola, i želja firme IBM, da joj Iskra dobavlja takodje štampana kola za SMT te vlastiti razvojni planovi zahtjevaju da se Iskra odgovarajuče dtjdatno opremi. Iskra je danas sa več osvojenom tehnologijom i znanjem sposobna izradjivati višeslojna štampana kola takodje i za SMD za prvi i drugi rang zahtjevnosti. Montaža SMD elemenata Pored osnovnih tehnoloških zahtjeva montaže (definisanje lepkova, nanošenje lepkova, polaganje elemenata, utvrdjivanje, lemljenje itd) ponovo smo se sreli u Iskri sa osnovnom dilemom koju smo postavili več na početku kao pitanje „kako organizirati optimalnu proizvodnju". Na osnovi analize podataka, strategije razvoja pojedinačnih RO, fleksibilnosti proizvodnje, udaljenosti pojedinačnih RO, razvoja montažne opreme u svetu i zahtjeva tako po maloserijskoj proizvodnji, kako i velikose-rijskoj proizvodnji ustanovili smo, da organizacija montaže samo na jednom mestu za Iskru nije prih-vatljiva, dakle nužno je tražiti optimalno rešenje un-utarspecijalizovanih montaža kod pojedinih RO. U Iskri trenutačno postoji proizvodnja u SMD tehnici u ograničenom obimu (ekonomičnost), zato je danas montaža organizovana maloserijski, dok se neke radne organizacije obzirom na vlastlte razvojne in investicione planove predvidjaju sutra o-prerniti za montaže zahtjevnih velikoserijskih proizvoda sa opremom koja če omogučiti montažu elemenata u najvišern rangu zahtjevnosti. U okviru Iskre dasta je bilo uradjeno takodje na području izrade uredjaja za postavljanje kompo-nenata, tako automatizovanih kao i robotizovanih, uredjaja za lemljenje talasom rastopljenog kalaja i rastaljivanjem paste za lemljenje kao i opreme za čiščenje zalemljenih ploča. Na kraju želimo takodje obavestiti da smo kod razvoja SMT prisutni takodje u medjunarodnom prostoru i da smo sklopili ugovor sa agenčijom Ujedinjenih naroda - UNDP (United Nations Deve-lopment Projects) za razvoj i osvajanje robotizova-ne čelije za montažu elektronskih kola na osnovu površinske montaže. Na osnovu predstavljenih utvrdjenja i stečenih znanja kod osvajanja SMD tehnologije možemo zaključiti: * 1. Utvrdjeno je, da elektronska indrustrija u Jugoslaviji mora obavezno slediti razvoju na području SMD ako ne želimo da je tržište samo isključi iz ovog toka. * 2. Koristi (volumen, težina i sutra jeftinost) su odnosno diktirati če upotrebu SMD elemenata u eiektronskoj industriji. * 3. Iskra može več danas nuditi naručiocu svoje usluge u razvoju, konstruisanju i izradi proizvoda gde su upotrebljeni takodje SMD eie-menti. * 4. Iskra ocenjuje da na osnovi več postignutog znanja i sa realizacijom razvojnih zadataka u 1988 godini nema nikakve potrebe za kupovinu licence ili know-how-a, jer če Iskra biti u najskorije vreme sposobna nuditi ta znanja takodje ostalim intereseritima. * 5. Centralizacija proizvodnje proizvoda sa SMD elementima po ocjeni Iskre nije optimalna, zbog toga je potreban selektivni pristup kod odluka obzirom na specifičnost zahtjeva. * 6. Invensticija u opremu biti če potrebna ali iznos je odvisan od dosadašnje opremljenosti i kvalifikovanosti investitora. Po podacima iz in-ostrane literature potrebno je u tvornicu za proizvodnju SMD investirati cca 1.000.000 CHF kod odgovarajučeg predznanja i infrastrukture. * 7. Svijesni moramo biti takodje dejstava da četno imati u praksi večim delom mešanu montažu (upotreba pored elemenata SMD takodje klasičnih elemenata) pošto neki elementi neče biti nikada u SMD tehnici. Siemens predvidja u 1990 godini upotrebu 50% SMD elemenata. * 8. Iskra izgradjuje i razvija svoju proizvodnu bazu za neke SMD elemente, istovremeno je takodje jasno da če Iskra kao i ostala elektronska industrija biti prisiljena uvoziti neke materiale, dakle 100% oslanjanje na domaču sirovinsku bazu u tom primeru neče biti moguče. Andrej Česnik, dipl. ing. Darja Uvodič, dipl. ing. Jože Oblak, SO UR ISKRA, Trg revolucije 3, Ljubljana 174 CENTER ZA APLIKATIVNO MIKROELEKTRONIKO V MARIBORU Rudi Babič, Karel Jezernik 1. UVOD Center za aplikativno mikroelektroniko v Mariboru je bil ustanovljen pri Tehniški fakulteti Maribor na predlog Gospodarske zbornice Slovenije, medobčinske gospodarske zbornice za Podravje, Iskre. Mikroelektronike in Tehniške fakultete, Univerze v Mariboru 3. junija 1985. leta. Pobudo zanj je dokončno prispeval posvet Mikroelek-tronika in njena vloga v razvoju OZD, ki so ga organizirali: Gospodarska zbornica Slovenije, iskra Mikroelektronika Ljubljana in Tehniška fakulteta v Mariboru. Center je bil ustanovljen z namenom skupnega in enotnega pristopa zainteresiranih organizacij združenega dela izvajalcev in uporabnikov za raziskovalno in razvojno dejavnost na področju mikroelektronike, mikroračunalniške avtomatizacije in informatike. Cilj teh prizadevanj je prestrukturiranje in razširitev industrijske ponudbe s proizvodnjo modernejših in novih konkurenčno sposobnih izdelkov ter posodobitev sredstev za delo. Ob podpisu samoupravnega sporazuma je bilo v Centru združenih deset članic. To število se iz leta v leto spreminja glede na interes. Z neposrednim združevanjem sredstev za delo ter z drugimi oblikami pomoči in sodelovanja so dejavnost Centra doslej omogočile naslednje članice: DO Biro-stroj, SOZD Elektrokovina, Gorenje Procesna o-prema, Iskra Mikroelektronika, Kreditna banka Maribor, Mariborska livarna Maribor, Medobčinska gospodarska zbornica za Podravje, Metalna Maribor, DO Primat, TAM Maribor, TOZD raziskave in razvoj, UNIAL z Impolom in TGA Kidričevo. Skupni organ Centra je projektni svet, v katerega delegira vsaka članica po enega člana. Projektni svet vodi predsednik projektnega sveta. V o-snovi projektni svet kreira politiko dejavnosti Centra, sprejema program dela in finančni plan, daje predloge in pobude za izboljšanje in razširitev sodelovanja ter spremlja delo med letom. Program dela Centra se sicer iz leta v leto spreminja. V glavnem so prisotne naslednje dejavnosti: * skupni program raziskav organizacija in izvedba tečajev dopolnilnega izobraževanja * svetovalna in informativna dejavnost * strokovno izpopolnjevanje. 2. PREGLED DOSEDANJEGA DELA 2.1. Skupni program raziskav zajema naloge s področja načrtovanja mlkro-elektronskih vezij po naročilu, mikroračunalniške avtomatizacije in tehniške informatike. V prvih letih delovanja smo lahko oprli skupni program raziskovalnega dela na programe Tehniške fakultete, ker je ta institucija vložila v delovanje Centra ta del kot konkretni vložek k uvajanju novih znanj. Na tej osnovi je bilo tudi mogoče formirati Center in dati strokovno vsebino njegovemu delovanju. a) Načrtovanje mikroelektronskih vezij Delo na tem področju je predstavljalo usposobitev uporabniškega sistema za načrtovanje mikroelektronskih vezij po naročilu v 5 |xm CMOS tehnologiji v sodelovanju in s pomočjo strokovnjakov iz Iskre Mikroelektronike. Na treh načrtovalskih mi-kroračunalniških sistemih Sirius 1 - Victor 9000 je instaliran programski paket SCEPTRE, ki omogoča logični opis vezja, logično simulacijo in oblikovanje geometrije vezja z njegovim preverjanjem. V poročilu, ki smo ga posredovali članicam Centra, je podrobno opisan programski paket, knjižnica standardnih celic ter opis postopkov in pravil za načrtovanje. Uporabniški sistem za načrtovanje mikroelektronskih vezij zaenkrat uporabljamo v edukativne namene. Posebej želimo za to delo zainteresirati čim širši krog potencialnih uporabnikov iz vrst članic. Da bi olajšali začetne težave pri računalniško podprtem načrtovanju mikroelektronskih vezij, smo na osnovi knjižnice standardnih celic izdelali knjižnico makrojev, ki vsebujejo najčešče uporabljive logične funkcije iz TTL, oz. CMOS liste integriranih elementov. Na ta način bi naj bil dodatno olajšan prehod načrtovanja digitalnih vezij in sistemov s kartice tiskanega vezja v mikroelektron-sko strukturo. b) Mikroračunalniška avtomatizacija Hiter razvoj mikroračunalniških komponent je omogočil razvoj mikroračunalniških sistemov, ki o-mogočajo reševanje vedno kompleksnejših nalog. 175 Mikroračunalniki nastopajo v vlogi podsklopa neke naprave z namenom, da ji izboljšajo lastnosti ali pa ji dajo popolnoma nove lastnosti, ki jih sicer ne bi bilo možno izvesti. V preteklosti so to vlogo opravljali predvsem 8-bitni mikroračunalniki s programsko opremo, kodirano pretežno v zbirnem jeziku. Po aparaturni in programski opremi so bili prilagojeni aplikaciji. Sodobni komercialni 16 in 32-bitni mikroraču-nalniški sistemi imajo veliko večjo procesno moč, aparaturna in programska oprema pa je tudi poenotena, oz. dostopna pri množici svetovnih proizvajalcev. Velik razmah je doseglo VME vodilo, ki je primerno (glede na zanesljivost in robustnost) za industrijske aplikacije. Na modulih s tem vodilom je možno na tržišču izbrati mikroračunalnike (pretežno z mikroprocesorji 68000, 68010, 68020) statične in dinamične pomnilnike ter množico procesnih vmesnikov (A/D, D/A pretvorniki, binarni vhodi/izhodi, itd.). Razen aparaturne opreme se je v zadnjih letih standardizirala tudi sistemska programska oprema, za aplikacije realnega časa. Dva izmed komercialno najuspešnejših operacijskih sistemov sta OS- 9/68000 in PDOS. V podanih poročilih so opisane aplikacije mikroračunalniškega vodenja in regulacij realnega časa, ki so realizirane na mikroprocesorjih družine MOTOROLA 68000 in na programski opremi operacijskega sistema RTOS. c) Tehniška informatika Računalnik nam lahko služi ne le kot sredstvo za avtomatizacijo procesa, temveč kot enotni povezovalni sistem od planiranja do testiranja, za kar se je ustalilo ime CIM (Computer Integrated Manufacturing). Gre za sistem računalnikov, ki si izmenjujejo podatke med merilnimi in delovnimi mesti v procesih, med procesom in vodilnim mestom (stik s človekom, spremljanje procesa), prenos podatkov v upravo za lažje spremljanje plana, nadzor proizvodnje, analizo brez formularjev itd. Izmenjava podatkov je zelo obsežna, zato mora biti čim hitrejša in zanesljivejša. Poleg računalnikov je nujno treba planirati tudi način komunikacije med njimi, saj nudi šele povezava v sistem višjo stopnjo uporabnosti računalnikov. Komunikacija je tako postala sestavni del CIM. Pri prehodu na višji nivo avtomatizacije in predvsem za vpeljavo CIM je treba računalnike med seboj povezati v mrežo. V svetu je trenutno jnajbolj znan projekt MAP. V poročilu je podan pregled različnih protokolov, nato pa študija standardov, ki jih vpeljuje Manufacturing Automation Protocol (MAP). 2.2. Organizacija in izvedba tečajev dopolnilnega izobraževanja Ker so kljub formalnemu izobraževanju nenehni problem strokovno usposobljeni kadri, skušamo s pomočjo tečajev dopolnilnega izobraževanja posredovati nujno potrebna specifična znanja. Doslej smo organizirali in izvedli, oz. so v pripravi naslednji tečaji dopolnilnega izobraževanja, ki so nastali v sodelovanju s katedrami za avtomatiko, elektroniko ter računalništvo in informatiko na Tehniški fakulteti, VTO Elektrotehnika, računalništvo in informatika ter Iskro Mikroelektronlko: * Osnove gradnje in uporabe mikroprocesorskih sistemov * Primeri in načini uporabe mikroračunalnikov * Osnove načrtovanja naročniških mikroelek-tronskih vezij * Procesna periferija mikroprocesorskih sistemov * Moderne metode digitalnega snovanja * Računalniške komunikacije * Načini snovanja programske opreme * Informatika mlkroračunalniško vodenih sistemov * Robotizacija v industirji * Spoznavanje in uporba jezika PROLOG * Osnove 16/32 bitnih mikroprocesorskih sistemov * Sodobni pristopi pri snovanju in vzdrževanju informacijskih sistemov. Tečaje delimo v tri skupine: v nove tečaje, v ponovitvene ter v tečaje glede na specifične želje in potrebe posamezne članice. O izbiri pa se dogovorimo v projektnem svetu. V programskem letu izvedemo v skladu s planom tri do štiri tečaje. 2.3. Svetovalna in informativna dejavnost Vloga svetovalne dejavnosti je v povezavi z izobraževanjem tista dejavnost, ki lahko bistveno pripomore k hitrejšemu uvajanju novih tehnologij in prestrukturiranju gospodarstva. Vloge konsultan-tov prevzemajo strokovnjaki Tehniške fakultete po dogovoru in koordinacijo s članicami. V osnovi je svetovalna dejavnost vezana na skupni program raziskav in projektne naloge v okviru svobodne menjave dela, ki so v teku ali pa bodo realizirane v bližnji prihodnosti. 176 Zraven takšnega načina sodelovanja pa si v zadnjem času prizadevamo za poglobitev sodelovanja s članicami prek individualnega izobraževanja in sodelovanja njihovih kadrov v laboratorijih TF Maribor, ki danes že razpolagajo s sodobno opremo za raziskovalno in razvojno delo na posameznih področjih. Prav tako smo se na ta način vključili v akcijo izobraževanja mladih raziskovalcev. Pomembnejša področja na področju svetovalne dejavnosti so bila zajeta v sodelovanju pri načrtovanju, razvoju ali izdelavi glave tiskalnika v mi-kroelektronski izvedbi, elektronskega-mikroelek-tronskega vezja za senzorsko krmiljenje vodovodnih armatur, mikroprocesorskih reguliranih pogonov, krmilnika CNC strojev za pozicioniranje, mikroprocesorskega krmiljenja globinskih in obločnih peči, računalniško vodenega preizkuševališča motorjev in dušilk, mikroprocesorsko vodenih klima naprav ter mikroprocesorskega krmilnika industrijskih procesov. 2.4. Strokovno izpopolnjevanje Zaradi potrebnega stika z razvojem v razvitem svetu na področjih novih tehnologij, mikroelek-tronike, avtomatizacije in računalništva sodelujemo pri organizaciji ogledov strokovnih sejmov doma in v tujini. Pri tem smo si po skupinah doslej ogledali sejem Technova v Gradcu, CeBit in industrijski sejem v Hannovru, sejem Interkama v Dues-sedorfu ter sejem Electrónica v Muenchnu. 3. ZAKLJUČEK V delo Centra smo doslej vložili precej truda. Začeli smo z velikim zanosom in prizadevnostjo. S podporo članic smo na Tehniški fakulteti prek RSS pridobili tudi nekaj sodobne raziskovalne opreme. Z njo smo vsaj delno zamašili vrzel, ki je iz leta v leto postajala vse večja. Čeprav so pri nekaterih članicah že doseženi koristni rezultati tudi iz našega sodelovanja pa je interes za sodelovanje bolj ali manj v upadanju, kljub dobri volji pri iskanju možnosti reševanja odprtih vprašanj na vseh nivojih. Posebej velja to še za področje načrtovanja mikroelektronskih vezij po naročilu, saj se je izredno težko odločiti za financiranje načrtovanja in izdelave integriranega vezja, ki ga je zaradi ekonomičnosti potrebno izdelati v velikih letnih serijah. mag. Rudi Babič, dipl. ing. prof. dr. Karel Jeze rn i k, dipl. ing. Tehniška fakulteta Maribor 62000 Maribor, Smetanova ul. 17 MATERIALI-MATERIJALI-MATERIALI SMERI RAZVOJA TEHNOLOGIJ IN UPORABE NOVIH SUPERPREVODNIKOV D.Uvodič UVOD Prevajanje toka brez izgub, prenos magnetnih polj iz notranjosti materiala in pojav kvantnih fenomenov so lastnosti, ki dajejo superprevodnikom o-beležje skupine materialov s posebnimi, nenavadnimi lastnostmi. Dokler je bil mogoč prehod v superprevodno stanje samo z ohlajevanjem s tekočim helijem, so imeli superprevodniki status eksotične skupine snovi, ki so jih uporabljali samo tam, kjer problemov s konvencionalno tehniko absolutno niso mogli rešiti. Z odkritjem materialov, ki imajo super-prevodni prehod okoli 100K, pri čemer za hlajenje uporabljamo le še mnogo cenejši tekoči dušik, se je odprlo novo, večje področje. To področje pa je možno osvojiti le z intenzivnim, obširnim delom, ki je povezano s precejšnim tveganjem. Odkritje superprevodnega materiala s prehodom pri 90-95K je povzročilo precejšno senzacijo po svetu. Nekaj časa je bilo opaziti močno konkurenčno tekmo, pri čemer ni bilo enotnega mnenja glede pomembnih parametrov: ali je to res najvišja kritična temperatura prehoda, oz. tokovna prehodnost, ali so bistveni osnovni eksperimenti, ali razvijanje modelov za razlago mehanizmov, ki povzročajo superprevodnost. 177 Sedaj so se duhovi pomirili In obravnave ne gredo več v smeri formul, krivulj in prijavljanja patentov, temveč v smeri analize strateških odločitev raznih raziskovalnih organizacij o možnih aplikativnih realizacijah teh materialov. Na številnih konferencah in simpozijih, kjer so se sestajali znanstveniki vseh smeri: fiziki, kemiki, fizikalni kemiki, kristalografi, specialisti za keramiko, mikroelektroniko, energetiko in magnetizem, so ugotovili, da je treba raziskovalni pristop k temu področju drastično spremeniti. Nastale so interdisciplinarne raziskovalne skupine z intenzivnimi stiki med raziskovalci in potencialnimi uporabniki. Dr. G. Bednorz in Dr. A. Mueller, dobitnika Nobelove nagrade za fiziko leta 1987, sta s svojimi raziskavami odprla povsem nove perspektive. Ne samo, da sta prekoračila magično mejo kritične temperature prehoda 23,3K za niobijev germanat, temveč sta spremenila tudi smer raziskav in sicer od kovin na sisteme kovinskih oksidov. Slednji dajejo pri kemičnih variacijah neverjetno raznolike fizikalne učinke in tehnično zanimive lastnosti. Superprevodnost oksidov so pravzaprav odkrili že pred več kot 20 leti (stroncijev titanat, litijev titanat, barij-svinčev bizmutat). Z odkritjem visoko-temperaturnih superprevodnikov je nastalo večje zanimanje za to področje. Sistema Y-Ba-Cu-0 in Bi- Ca-Sr-Cu-0 in njune variante dajejo materiale s temperaturnimi prehodi do 125K. S tem je bila odprta druga etapa raziskovalne tekme, ki je v preteklih dveh letih povzročila tolikšne senzacije. Junija letos je bil v firmi IBM v Zuerichu informacijski sestanek o stanju raziskav na področju superprevodnih materialov, o tehnologijah in o njihovih industrijskih uporabah v okviru EIRME (European Industrial Research Management Association). Osrednji dogodek je bilo obširno predavanje Nobelovega nagrajenca dr. G. Bednorza. Naslednja poglavja predstavljajo povzetek informacij s tega sestanka. UPORABA IN TEHNOLOGIJE Superprevodnlki imajo tri lastnosti, ki so tehnično zanimive: * pri prehodu iz normalnega v superprevodno stanje izgine električna upornost * pri tem prehajajo magnetna polja iz notranjosti materiala navzven v superprevodnih strukturah se pojavljajo kvantni fenomeni. Te lastnosti izkoriščajo že pri klasičnih super- prevodnikih. Značilna področja uporabe superprevodnih sestavnih delov v sistemih so: * oprema za fundamentalne naravoslovne raziskave * medicinska tehnika * senzorika * elektronika * ločevanje surovin * promet * energetika. Pri tem superprevodniške elemente uporabljajo pretežno* v obliki žic, navitih v tuljave, ki služijo n.pr. kot močni magneti z veliko notranjo prostornino za NMR-tomografijo, za prečiščevanje rud, ali za različne laboratorijske namene. Pri senzorjih se srečujemo v glavnem s „SQUID" (Superconducting Quantum Interference Devices), magnetnimi senzorji za raziskave na področju fizike trdne snovi, geologije in medicine. Na področju elektronike se pojavljajo hitri ana-logno-digitalni pretvorniki in napetostni standardi. Počasi se uveljavlja tudi razvoj sestavnih delov za naprave za pospeševanje nabitih delcev. Skoraj na vseh področjih delajo v pretežni meri še vedno z nizkotemperaturnim (hlajenje s tekočim helijem) niobijem, ali njegovimi legurami. Žice za izdelavo tuljav so iz niobljevega titanata, delno tudi iz niobijevega stanata. SQUIDi so po večini plastne strukture, ki so sestavljene Iz nioblja in niobijevega nitrida. Hitro se uveljavljajo novejši materiali, ki za svoje delovanje potrebujejo temperaturo tekočega dušika. Neposredno po odkritju visokotemperaturnih superprevodnikov so bila pričakovanja usmerjena predvsem na področje tehnologij v energetiki. Vendar so strokovnjaki hitro ugotovili, da tako obsežne naloge ne bodo mogli rešiti v kratkem času, temveč da bo za to potrebno najmanj 5 do 10 let, po nekaterih predvidevanjih tudi več. V nasprotju s to ugotovitvijo pa je znanstvenikom zelo hitro uspelo demonstrirati funkcijske lastnosti SQUID tja do 77K, vendar pa je tudi to samo prvi uspeh, ki rpu mora slediti še precej raziskovalnega dela, da bo iz tega nastal zrel proizvod. Isto velja tudi za integracijo superprevodnikov v polprevodniški tehniki. Tu je eno izmed glavnih področij uporabe povezava med čipi v računalnikih. Superprevodne povezave bi bistveno zmanj- 178 šale energijske izgube in povečale hitrost računalnikov ter omogočile prenos signalov brez po-pačenj. Hlajenja s tekočim dušikom vtem primeru ne štejemo za pomanjkljivost, ker so danes računalniki, hlajeni na tak način, že na tržišču. Še vedno je potrebno hlajenje visokotempera-turnih superprevodnih elementov s tekočim dušikom. Delovna temperatura bi morala biti praviloma manjša od 2/3 temperature prehoda (Tc). Parametre je namreč težko držati v tako ozkem temperaturnem intervalu, da bi bilo zagotovljeno normalno delovanje superprevodnega elementa. Delovanje le-tega bo, ob hlajenju z vodo pri sobni temperaturi, možno šele, ko bomo imeli superpre-vodnike s temperaturo prehoda blizu 400K. To pa pomeni tudi, da je potrebno vzporedno z razvojem superprevodnikov razvijati tudi hladilno tehniko. Velik poudarek velja še vedno novim, nepoznanim uporabam supeprevodnikov, bodisi že znanih komponent v novih sistemih, ali pa iznajdbi povsem novih komponent. Za skoraj vsa področja uporabe je značilno, da superprevodnike ne uporabljajo same, temveč v povezavi z drugimi materiali, ki služijo kot podlaga, funkcijska medplast, prevleka ali mehanska opora. To pomeni, da so področja uporabe superprevodnikov odvisna od velikega števila parametrov, ki jih je treba optimiratl, kar ima za posledico široko, obsežno in multidisciplinarno delo. SEDANJE RAZISKOVALNO DELO Število sintetiziranih novih supreprevodnikov je veliko in skoraj nepregledno. Tudi neuspehov je bilo precej. Pri iskanju novih materialov je nujno tesno sodelovanje med kemijsko preparativo in teoretično fiziko, pri čemer se razkriva mehanizem superpre-vodnosti. Velika pozornost je posvečena izdelavi monok-ristalov in epitaksialnih tankih plasti ter preučevanju ponovljivosti teh postopkov. Zelo problematična je stabilnost superprevodnih materialov. Posebno material Y-Ba-Cu-0 je nagnjen k oddajanju kisika, k hidrolizi in reakciji z ogljikovim dioksidom iz zraka. Poznavanje mehanizmov reakcij pri staranju materiala, oz. po stiku z o-kolico je bistvenega pomena za uporabo teh materialov v tehnične namene. Potrebno bo doseči njihovo dolgoročno stabilnost s spreminjanjem sestave, z določenimi dodatki ali z zaščitami. Razvoj reproducibilnih proizvodnih postopkov in specifičnih kontrolnih postopkov je tudi ena izmed osrednjih nalog razvoja. Uporabljajo številne specialne postopke priprave prahov, tja do sol-gel postopka, ki je znan po tem, da daje prahove z zelo homogeno velikostjo delcev. Zaenkrat je še prezgodaj, da bi že lahko navedli tiste postopke in tehnologije, ki se bodo na tem področju uveljavili. Oblikovanje elementov gre v glavnem v dve smeri: oblikovanje in sintranje masivne keramike (in bulk) in izdelovanje tankih superprevodnih plasti. Sedanja ocena je, da bo največ uporabe v obliki tankih plasti in navitij. Slednje se nanaša na nosilce v obliki trakov, ali žic v trdi, ali v fleksibilni obliki. Plasti so po večini tanke, epitaksialne, ali debele. Mikrostruktura teh plasti je odvisna od izbrane tehnologije nanašanja. Glede na to, da je pri mnogih uporabah, posebno tam, kjer pridejo v poštev visoke gostote tokov, pomembna izrazita orientacija zrn, ali je celo potrebna monokristalna struktura, je razvoj metod, ki omogočajo doseganje takih struktur zelo bistvena naloga. Navadno je za to potrebna poobdelava teh plasti. Mikrostrukturira-nje plasti se opravlja s postopki, ki so poznani v polprevodniški tehnologiji. To posebno pride v poštev pri kombinacijah polprevodnika in superprevodnika. Razen postopkov odjedkavanja materiala je možno tudi ionsko obstreljevanje, pri čemer obstreljevani del superprevodnega materiala izgubi svoje superprevodne lastnosti. Za večino do sedaj znanih tehničnih uporab superprevodnih materialov je potrebna gostota toka od 15 do 16 A/cm2. Take vrednosti so bile do sedaj dosežene le pri epitaksialnih plasteh. Zaradi močno izražene anizotropije in drugih fizikalnih lastnosti teh materialov bi moral razvoj iti v smeri prido- Področ. uporabe Element Oblika osnovne raziskave magneti vseh vrst pospeševalniki nabitih delcev SQUID navitja masivna keramika tanke plasti medicin, tehnika NMR magneti SQUID navitja tanke plasti senzorji IR-detektorji mikroval..detektorji tanke plasti tanke plasti elektronika napetost, standardi mikserji tanke plasti tanke plasti 179 bivanja čimbolj enotne orientacije zrn. Poseben problem so meje med zrni. Anizotropija in prisotnost motečih faz predstavljajo ovire za tokovno prehodnost. Zato je eden izmed ciljev raziskavtudi zmanjšanje vplivov mej med zrni na najmanjšo možno mero. Nadaljnje težave nastopijo pri toplotni obdelavi že nanešenih plasti. Pri tem nastajajo kemične reakcije in difuzijski procesi. Izbira podlag je torej zelo pomembna. Superprevodniki sodijo med najbolj komplicirane sestavljene materiale, ki danes obstajajo. Vprašanje interakcij pri skupnem obdelovanju različnih materialov je pri tem posebno težka in komplicirana naloga, ki jo je treba rešiti. PERSPEKTIVE Superprevodniki so še vedno predmet osnovnih raziskav. V firmi IBM predvidevajo dinamiko razvoja do leta 2000 približno takole: Sedanja uporaba: * v glavnem za raziskovalne namene. Uporaba v naslednjih desetih letih: * za elektromagnetno zaščito * za SQUID magnetne senzorje * za IR-senzorje. Uporaba po letu 2000: * vsa druga predvidena področja, pri čemer je zlasti pomembna energetika. Morda bi bilo ob tem dobro omeniti dejstvo, da so evropske prognoze na področju razvoja in hitrosti uveljavljanja uporabe superprevodnikov precej skeptične in konzervativne. Japonci so v svojih prognozah precej bolj pogumni. Najnovejša predvidevanja Nikkei High Tech Report (julija 1988) so: največji razmah naj bi bil na področju medicinskih naprav (NMR-CT), laserjev, majhnih ciklotronov, pospeševalcev velikih delcev in SQUID na osnovi kombinacije dveh Josephsonovih spojev naj bi se uveljavili v 10 letih po odkritju pravega superpre-vodnega materiala. Sledila naj bi jim uveljavitev transportnih in industrijskih strojev, hkrati z razvojem na področju elektronike. Zadnja v tem zaporedju naj bi bila energetika, ki pa je obeležena z največjimi pričakovanji posebej v vrednostnem pogledu. Če bo prodor superprevodnikov na pomembna področja, kot so računalništvo in energetika us-• pešen, bodo nastale globoko segajoče spremembe v tehničnih konceptih nasploh, kakor tudi v trženju. Razvoj superprevodnikov pogosto primerjajo z razvojem tehnike optičnega prenosa na področju telekomunikacij. Področje superprevodnikov je tisto, ki bo s seboj prineslo precej sprememb. Zato ga je treba vestno spremljati. Tisti, ki temu zaradi neznanja, ali zaradi pomanjkanja sredstev ne bodo kos (kajti tu pričakujemo velika tehnološka preusmerjanja, ki bodo potegnila za seboj velike investicije), bodo neusmiljeno obsojeni na zaostajanje. Darja Uvodič, dipl.ing., SOZD- ISKRA Trg revolucije 3, Ljubljana 180 XXIV JUGOSLOVAN S KI SIMPOZIJ O ELEKTRONSKIH SESTAVNIH DELIH IN MATERIALIH SP-88, Nova Gorica, 7.-9. september 1988 Milan Slokan Letošnji „SD 88" je društvo MIDEM organiziralo ob finančni in organizacijski pomoči Iskre Delte v Izobraževalnem centru Iskre Delte v Novi Gorici v času od 7. do 9. septembra 1988. Prijavljenih je bilo več kot 130 udeležencev. Programsko-organlzacijski odbor pod vodstvom M. Koščeve si je zamislil simpozij, podobno kot prejšnji dve leti na Otočcu in vTopolšici, v kombinaciji z vabljenimi predavanji tujih in domačih uglednih referentov ter s posterji. Zal sta na simpoziju izpadli po programu predvideni vabljeni predavanji J. Pirša z Instituta Jožef Štefan (Teko-čekristalni prikazainlki z veliko gostoto prikazanih elementov) in D. Flama iz Nikole Tesle Zagreb (Po-uzdanost sastavnih djeiova u telekomunikacijskim uredajima), ker avtorja zaradi osebnih razlogov nista prišla. Odsotnost vabljenih predavateljev so u-deleženci precej kritizirali. Tako je bilo na simpoziju v dveh dneh in pol podano pet vabljenih predavanj in prikazano 57 posterjev (od 61 prijavljenih). V otvoritvenem delu simpozija so se oglasili predsednik MIDEM R. Ročak, predsednik Skupščine občine Nova Gorica Albert Bevčič, nadalje pomočnik predsednika Republiškega komiteja za raziskovalno dejavnost in tehnologijo SR Slovenije B. Pretnar (njegov nagovor bomo objavili v naslednji številki) ter predstavnik gostitelja simpozija direktor Izobraževalnega centra Iskra Delta Boris Nemec s pozdravnimi in drugimi tehtnimi besedami. Sledila je podelitev priznanj za MIDEM zaslužnim delovnim organizacijam (Ei IRI Beta Ze-mun, Kemijski Inštitut Boris Kidrič Ljubljana, Institut Mihajlo Pupin Beograd, Iskra Delta ter iz Iskre še delovnim organizacijam Zmaj, Avtoelektrika in Feriti). Priznanja kot aktivni člani so prejeli E. Pir-tovšek in M. Damjanovič. Za zaslužnega člana pa je bil na skupščini MIDEM, ki je bila v času simpozija, imenovan A.Keber, dolgoletni urednik našega glasila Informacije MIDEM. Poskušal bom na kratko opisati podane povabljene referate, medtem ko bomo podrobnejšo informacijo o posterjih objavili v naslednji številki Informacij MIDEM. Zaenkrat o posterjih le podatek, da so bili grupirani v štiri sekcije: v prvi so bili zbrani prispevki s področja feritov, termistorjev, keramičnih materialov, monokristalov, kompozitov, zaščitnih premazov In senzorjev; v drugi skupini so bili zbrani posterji o tankih plasteh in stem povezanimi tehnologijami, o senzorjih in o parametrih pomembnih za zanesljivost; v tretji skupini smo videli posterje iz polprevodniškega področja (materiali, tehnologija in elementi) ter raziskave pojavov in efektov v zvezi z njihovo proizvodnjo in zanesljivostjo; četrta skupina se je nanašala na debelo-plastne materiale, tehnologije in elemente. Predsedniki sekcij (S. Beseničar, A. Banovec, S. Amon in N. Strižak) pripravljajo o posterjih pregledno poročilo. V prvem vabljenem referatu je B. Nemec Iz Izobraževalnega centra Iskra Delta obdelal pomen izobraževanja za nove tehnologije in opisal angleške izkušnje izobraževanja v podjetjih; tam je izobraževanje obvezno za vse vodilno, vodstveno in tehnično osebje in sega vse od informacijske tehnologije do projektiranja sistemov in novih proizvodov do proizvodnje, prodaje in servisiranja izdelkov. Avtor se je dotaknil tudi izobraževalnega sistema v Iskri Delti. Izredno učinkovito in privlačno je podal S. Pe-jovnik s Kemijskega inštituta Boris Kidrič v Ljubljani svoj referat o primarnih in sekundarnih galvanskih členih z litijevo anodo, posebej s poudarkom na sistemu litij-tionil klorid. Opisal je raziskave in dosežke v Sloveniji, pri tem pa je nazorno prikazal prednosti litijevih baterij ter tehnološko in raziskovalno problematiko, hkrati pa je pojasnil, zakaj vedno bolj narašča pomen litijevih baterij v svetu. V Jugoslaviji še ni redne proizvodnje, vendar se nanjo pripravljata Iskra Zmaj v Ljubljani in Trepča v Gnjilanah, ki je kupila licenco. Kemijski inštitut Boris Kidrič v Ljubljani in Iskra Zmaj sta sama osvojila sistem litij-tionil klorid. Zelo aktualno pregledno predavanje je imel edini tuji vabljeni predavatelj C. Mislano iz Selenie, Rim. Iz svojih bogatih izkušenj je zaokroženo opisal nove tehnike depozicije tankih plasti za optične prevleke in integrirano optiko, izhajajoče iz novih dosežkov „Physical Vapour Deposition" (VPD). Dodal je pregled najpomembnejših uporab teh 181 tehnologij na področju integrirane optike ter predvidenih smeri razvoja v naslednjih petih letih. Pregled uporabe polprevodniških kvantnih jam in superrešetk v sedanjih in prihodnjih elektronskih in optoelektronskih elementih je podal Z. Ikonič z Elektrotehniške fakultete Beograd. Od elektronskih elementov je obravnaval tako translstorje s horizontalnim transportom kot diode in transistorje z vertikalnim transportom, od optoelektronskih elementov pa fotodetektorje, elektrooptične mo-dulatorje in laserje. Zadnje zanimivo vabljeno predavanje je imel V. Pantovič z Inštituta elektronske industrije IRI Beta v Zemunu o pastah žlahtnih kovin za elektronske sestavne dele. Poleg pregleda raznih past, predvsem na osnovi srebra in srebra-paladija, glede sestave, funkcij in karakteristik, je podal tudi konkretne primere njihove uporabe. Predavanje je nudilo zato tudi vpogled v strukturo debeloplastnih prevodnikov, izdelanih s pastami žlahtnih kovin, ki jih raziskuje, razvija in proizvaja IRI Beta. Udeleženci simpozija so uživali v zelenem okolju Nove Gorice in v prijetnih prostorih lepo urejenega Izobraževalnega centra Iskre Delte. mag.Milan Slokan,dipl.ing., Društvo MIDEM, Titova 50, Ljubljana SEMINAR O POVRŠINSKI MONTAŽI FIRME AMTEST Alojzij Keber Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale je organiziralo skupaj s SOZD Iskra 23. in 24. februarja 1988 v veliki dvorani Iskrlne poslovne stavbe v Ljubljani seminar o površinski montaži elektronskih elementov. Prav prek društva Midem zastavljena akcija je omogočila, da so se zbrali pod Iskrino streho strokovnjaki iz tistih delovnih organizacij In institucij v Jugoslaviji, ki imajo ali bodo imele karkoli opraviti s površinsko montažo elektronskih elementov (Surface Mounting Technology - SMT). Res je, da je dogodek časovno nekoliko oddaljen In bi moral biti zapis o njem objavljen že v prejšnji številki Informacije Midem. Kljub temu menim, da je akcija vredna zapisa in predstavitve tistim našim članom, ki se seminarja niso mogli udeležiti, jih pa zanima problematika najnovejših postopkov za montažo elektronskih elementov na ploščice tiskanih vezij. Organizatorji smo glede na aktualnost teme pričakovali dober odziv, vendar smo bili že na začetku prijetno presenečeni, saj je bilo na seminarju ves prvi dan prisotnih prek 200 udeležencev, pa tudi drugi dan se jih je zbralo okoli 190. To je dokaz, da je bila tematika kot tudi njena predstavitev za prisotne zanimiva in izredno aktualna. Najmočneje je bila na seminarju s svojimi udeleženci zastopana Iskra, kar je zaradi lokacije seminarja seveda razumljivo. Ostale poslušalce so poslale firme Rade Končar - Zagreb, Nikola Tesla - Zagreb, RIZ-Zagreb, Ei - IRI - Beograd, VTI - Beograd, Rudi Čajavec - Banja Luka, Fakulteta za elektrotehniko -Ljubljana, Elektrotehnički fakultet Banja Luka, Mi-hajlo Pupln - Beograd, Novkabel - Novi Sad, Dalmacija Elektromatika - Dugi rat, Institut bezbedno-sti - Beograd, RSNZ Ljubljana, RTV Ljubljana. Predaval je gospod Richard Booth, predstavnik angleške firme AMTEST, prisoten pa je bil tudi tehnični direktor firme, gospod Miro Irgl, ki je sicer naše gore list. S svojim odličnim znanjem angleščine, slovenščine in srbohrvaščine je pripomogel, da je bil stik med predavateljem in poslušalci veliko bolj pristen, kot smo ga običajno vajeni ob takšnih priložnostih. Površinska montaža elektronskih elementov obsega mnoga tehnološka znanja. Če je spekter poslušalcev širok - od tistih, ki problematiko šele spoznavajo, do onih, ki jih zanimajo samo specialne tehnične podrobnosti - potem je podajanje snovi v okviru takšnega seminarja dokaj zahteven posel. Sodeč po odzivih in komentarjih slušateljev je predavatelj uspel združiti zahtevane lastnosti v eni osebi in je podal snov tako, da smo prišli vsi na svoj račun. Obdelal je celotni proces SMT, prek splošnega uvoda, opisa lastnosti, prednosti in napovedi trendov razvoja SMT v svetu je prešel k obravnavi SMD komponent, materialov za SMT ter ploščic tiskanih vezij za SMT. Sledil je oris proizvodnih postopkov: nanosa paste ali lepila, polaganja komponent, spajkanja, čiščenja, vizualne kon- 182 trole in praktičnih napotkov za postavitev proizvodnih linij. Predavanje, ki seje odvijalo ob prosoj-nicah, so spremljali številni diapozitivi, video filmi in prek dvajset različnih vzorcev elementov in že opremljenih ploščic, ko so bile izdelane s SMT. Glede na to, da diskusija prvi dan seminarja kljub dobremu vzdušju v dvorani ni stekla v polnem zamahu, kar gre pripisati prav gotovo jezikovnim oviram, ki tokrat niso bile opravičljive in pasivnosti poslušalcev, smo organizatorji kljub temu pridobili snov za diskusijo prek pisnih vprašanj, na katera sta predstavnika firme odgovarjala na koncu seminarja. Na ta način se je pojavilo čez sedemdeset najrazličnejših vprašanj. Tehtna vprašanja so dobila tudi tehten odgovor. Vse večje firme so dobile po en izvod gradiva o obravnavani tematiki že na samem seminarju. Predstavnika firme sta obljubila, da bodo prejeli enako gradivo vsi udeleženci najpozneje v teku enega meseca po seminarju. Firma je obljubo izpolnila. Avtortega zapisa je uspel pridobiti od firme tudi dve video kaseti, ki sta zainteresiranim na razpolago za izposojo. Uspeli smo prekopirati tudi dokaj dobro knjigo o SMT in če k temu prištejemo še mnoge osebne razgovore s predstavnikoma firme AMTEST, potem je seminar v celoti dosegel svoj namen. Poleg pridobitve tehničnih informacij so imeli udeleženci seminarja priliko ustvariti osebne stike in izmenjati mnenja s kolegi iz različnih delovnih organizacij sirom Jugoslavije. Pri tako zahtevnem in obsežnem tehnološkem posegu kot je uvajanje površinske montaže v proizvodnjo elektronskih vezij, je takšno povezovanje ne samo koristno, ampak tudi zelo potrebno, SMT v svetu nezadržno napreduje. Neizpodbitno je, da mora Jugoslavija kar najhitreje osvajati to novo tehnologijo in jo bo tudi osvojila. Vendar je proces osvajanja prepočasen. Zato so takšne skupne akcije impulz, ki nas bo porinil za korak pa čeprav majhen, v naših skupnih prizadevanjih naprej. AMTEST namerava v bližnji prihodnosti prirediti seminar o merilni in testni opremi, ki vključuje tudi opremo za SMT. Če bo akcija zastavljena skupaj z društvom MIDEM in SOZD Iskra, lahko znova pričakujemo dober odziv in vsestransko korist. Takšnih aktivnosti pa si v okviru MIDEM resnično želimo, saj vodstvo MIDEM zagotavlja možnosti, da jih gojimo. Alojz Keber, dipl. ing., Društvo MIDEM, Titova 50, Ljubljana TEČAJ „OSNOVE VAKUUMSKE TEHNIKE' Zaradi velikega zanimanja nameravamo ponoviti tečaj iz OSNOVE VAKUUMSKE TEHNIKE in sicer v dneh od 18. do 20. oktobra 1988. Tečaj bo v prostorih Inštituta za elektroniko in vakuumsko tehniko, Teslova 30, Ljubljana. Obsegal bo 20 ur predavanj z naslednjimi temami: * 1. Pomen in razvoj vakuumske tehnike * 2. Fizikalne osnove vakuumske tehnike * 3. Črpalke za grobi vakuum (membranske, rotacijske, z vodnim obročem) * 4. Črpalke za visoki vakuum (elektronske, difuzijske in turbomolekularne) * 5. Črpalke s površinskim delovanjem (sorpcij-ske, ionskogetrske in kriogenske) * 6. Vakuumski spoji in tesnilke * 7. Vakuumski sistemi * 8. Vakuumetri * 9. Odkrivanje netesnih mest (leak detekcija) * 10. Vakuumski materiali in delo z njimi * 11. Vakuumske tankoplastne tehnologije * 12. Pomen površin v vakuumski tehniki in njihova karakterizacija * 13. Vakuumska higiena in čisti postopki * 14. Doziranje, čiščenje in preiskave plinov * 15. Šest ur vaj in ogled Inštituta Tečaj je namenjen tako vzdrževalcem in razvijalcem vakuumskih naprav, kot tudi raziskovalcem, ki pri svojem razvojnem oziroma raziskovalnem delu potrebujejo vakuumske pogoje. Cena za udeležence iz organizacij združenega dela je 400.000.-din. Prosim vas, da dokončno prijavo in potrdilo o plačilu dostavite najkasneje do 10.okto-bra. 1988 na naslov Društvo za vakuumsko tehniko Slovenije, Teslova 30, 61000 Ljubljana (št. žiro računa: 50101-678-52240): Vsak udeleženec prejme zbornik predavanj Osnove vakuumske tehnike. Prijave sprejema organizacijski odbor (Pavli, Nemanič, Pregelj); ki daje tudi vse dodatne informacije, tel.: (061) 267- 341. Predsednik DVTS: dr.mag.Monika JENKO,dipl.ing. Teslova 30, Ljubljana 183 PREDSTAVLJAMO SPONZORJE MIDEM El CENTAR ZA PROJEKTOVANJE U MIKROELEKTRONICI U RO „Ei Mikroelektronika" u osnivanju uspešno je završen probni rad nove opreme za projek-tovanje silicijumskih čipova. Centar za projektova-nje u mikroeiektronici (CEP) opremljen je savre-menim CAE/CAD računarskim sistemom kojl znatno povečava produktivnost projektanata i gotovo eliminiše greške u projektovanju integrisanih kola. Od američke firme COMPUTERVISION kupljene su radne stanice (work station) koje poseduju kompjutersku grafiku u boji, kao i jedan fajlserver. Tu je i personalni računar IBM PC/AT, elektrosta-tički štampač/ploter Versatec, veliki Hewlett-Packard ploter sa osam pera u boji, jedinica magnetske trake i Winchester-disk velikog kapaciteta (420 MB formatirano). Manji deo opreme kupljen je od Ei-Honeywell i Ei-Pupin (video terminali, serijski štam-pači sa finim otiskom i grafikom, modemi). Računarski sistem je totalno integrisan povezi-vanjem opreme u ETHERNET lokalnu mrežu čime je omogučeno distribuirano projektovanje čipova i racionalno koriščenje raspoloživih resursa. Svaka radna stanica raspolaže sa po šest asinhronih in-terfejsa RS-232C (CCITT/V24) za priključivanje perifernih uredjaja kao i za udaljene komunikacije sa drugim računarima preko modema i telefonskih veza. Personalni računar IBM PC/AT sa monitorom u boji koristi se za unošenje grafičkih podataka ko-jima se zadaju električne i logičke šeme. Kada se poveže sa radnom stanicom, IBM PC/AT ima ulo-gu grafičkog kolor terminala preko koga mogu da se startuju programi za električnu i logičku simu-laciju, kao i da se analiziraju dobijeni rezultati. Grafičke radne stanice imaju: multiprocesor-sku arhitekturu (3 x 68000 + 1x bit-slice), 86MB Winchester disk, operativnu memoriju od 4MB, grafičku memoriju od 16-bit planova (svaki plan sa po 1024 x 1024 tačaka), monitor u boji (48 cm, 1024 x 780 piksela), tastaturu, miš sa tabletom za unošenje grafičkih podataka, flopi - jedinicu 1.2 MB i baterijski back-up. Fajl-server je računar op-šte namene (bez grafike) na koji je vezana sistemska konzola i globalni resursi (veliki disk, jedinica magnetske trake, štampači i ploteri). Radne stanice imaju operativni sistem UNIX te omogučavaju istovremeni rad večeg broja korisni-ka, pri čemu svaki od njih može da aktivira izvrše-nje večeg broja nezavisnih programa. Od softvera opšte namene tu su kompajleri za C, FORTRAN77 i Pascal, kao i uslužni programi za obradu teksta i generisanje tabela, izradu projektne dokumentacije, formiranje i kontrolu relacionih baza podataka (UNIFY). Grafičke radne stanice raspolažu kompletnim specijalizovanim softverom za automati-zovano projektovanje čipova i to: za unošenje električnih i logičkih šema, za električnu simulaciju (SPICE), za logičku simulaciju (HILO), za projektovanje topologije (layout-a) i za proveru električnih i topoloških pravila projektovanja. Radne stanice predstavljaju savremena auto-matizovana projektantska radna mesta koja su snabdevena močnim programskim alatima. U in-teraktivnom režimu rada, odnosno kroz dijalog sa računarom, projektant koristi teorijske modele po-moču kojih simulira ponašanje čipa u realnim us-lovima. Za relativno kratko vreme dizajner može da proveri različite ideje vezane za funkcionisanje i konstrukciju intergrisanog kola. Greške pri projektovanju čipa su skupe jer odnose po više milijona dinara. Kada projektovane maske integrisanog kola odu u proizvodnju više nema šansi za popravke, podešavanja i si. Upravo zbog toga detaljno se kontroliše svaki korak u ciklusu projektoVanja. Kompjuterizovana oprema svodi na najmanju me-ru greške u dizajniranju čipova uz istovremeno du-pliranje produktivnosti projektanata. U CEP-u če raditi zajednički timovi projektanata sistema/uredjaja i dizajnera Ei-ME. Sistem in-žinjeri če projektovati funkcionalni sadržaj čipa a dizajneri Ei-ME vršiče verifikaciju i projektovati to-j pologiju naručenog IK. Stručnjaci Ei-ME priprema-| ju za buduče korisnike: baze podataka za projektovanje čipova, biblioteke funkcionalnih čelija, softver za automatsko projektovanje IK, priručnike i seminareza projektante uredjaja i sistema koji žele da unaprede svoja znanja u oblasti projektovanja čipova po narudžbini. Oprema za projektovanje se stalno usavršava i pada joj cena. Potrošači CMOS IK mogu da uz relativno mala ulaganja kupe 184 i povežu svoje terminale, personalne računare i radne stanice sa najsavremenijom opremom za projektovnje čipova koja je instalirana u CEP-u. U CEP-u se projektuju digitalne i analogne ASIC (Application Specific Integrated Circuits) komponente tipa gejtovskih matrica - GEM IK (gate arrays) i unikatni čipovi (full custom), a u toku je izrada biblioteka standardnih čelija (standard cells). Otvaranje Centra za projektovanje u Ei-ME ima strateški značaj za razvoj domače mikroelek-tronike jer se stvaraju uslovi za samostalniji razvoj i oslobadjanje od uvoza stranog znanja. Jugoslo-venski elektroničari dobijaju mogučnosti da sami projektuju LSI/VLSI člpove koji najbolje odgova-raju potrebama njihovih sistema. Integrisana kola za namenske uredjaje biče u potpunosti domača i zaštičena od kopiranja sa strane. U Ei su stvoreni uslovi za izvoz znanja preko projektovanja speci-jalno naručenih silicijumskih čipova koji se plasi-raju na svetskom tržištu kroz izvoz uredjaja i sistema u koje se ugradjuju. Miodrag R. Miličevič, dipl. inž. RO Ei- Mlkroelektronika u osnivanju, Niš, Bul. V. Vlahoviča 80-82 NOVI ČLANI DRUŠTVA MIDEM * GRGURIČ KATA 592 DURO DAKOVIČ, RO MARSONIA COMMERCE, SLAVONSKI BROD * KANDUŠER ALENKA 594 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, LJUBLJANA * KAVKLER STANE 5911SKRA ELEMENTI, LJUBLJANA * KOPAČ MARKO 587 ISKRA ELEKTROZVEZE, LJUBLJANA * MALIČ BARBARA 593 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, LJUBLJANA * MEHAK SAŠA 590 SREDNJA ELEKTROTEHNIŠKA ŠOLA, LJUBLJANA * PETRIČ MARKO 595 INSTITUT JOŽEF ŠTEFAN, LJUBLJANA * ŠIFRAR MARKO 596 FNT FIZIKA, LJUBLJANA * ŠIVEC VILJEM 588 ISKRA ELEKTROZVEZE, LJUBLJANA * STADLER ZMAGO 586 ISKRA - KEKO ŽUŽEMBERK ZAPUSTILI DRUŠTVO * KOŠIR SAŠO 199 ISKRA - ELEKTROMEHANIKA TEL, BLEJSKA DOBRAVA OBROVNIK VITJAN 589 FAKULTETA ZA ELEKTROTEHNIKO, LJUBLJANA 185 VESTI -VIJESTl VESTI VIJESTI iZ ZEMLJE „ISKRA,, glasilo delovne organizacije SOZD-lskra u broju 30 od 5. septembra objav ¡je: ISKRA KONDENZATORJI. Poslovanje u prvome polugodištu 1988 Padec proizvodnje V prvem polletju so v Kondenzatorjih zabeležili 7% nižji obseg proizvodnje kot v enakem obdobju lanskega leta. Položaj je različen v posameznih sredinah in sicer je temeljna organizacija Elementi za odpravo motenj zabeležila porast proizvodnje v višini 32 %, temeljna organizacija Elektronski kondenzatorji v višini 3%, medtem ko so v enakem obdobju zabeležili padec proizvodnje v tem. organizaciji Energetski kondenzatorji in sicer za 40% V Elektronskih kondenzatorjih in Elementih za odpravo motenj so imeli dovolj naročil za prodajo na domačem tržišču in so plan presegli medtem, ko so za prodajo na domačem trgu zabeležili izpad proizvodnje v Energetskih kondenzatorjih. Slednje je gotovo povezano z občutnim padcem inves ticijskih vlaganj v celotnem gospodarstvu SFRJ. Prodaja večja za 170 odstotkov V prvih šestih mesecih so v delovni organizaciji prodali za prek 22 milijonov dinarjev blaga, kar pomeni povečanje prodaje za 170 % v primerjavi z enakim obdobjem lanskega leta. V celotni vrednosti prodaje predstavlja prodaja na domačem trgu skoraj 70 % in prodaja za izvoz prek 30 %. Pri tem dosegajo Elektronski kondenzatorji na tujem skoraj 40% celotne eksterne prodaje, Energetski 6%, Mehanski deli in naprave 10% in Elementi za odpravo motenj skoraj šestdeset. Vztrajanje na tujih trgih V obdobju od januarja do junija so izvozili skoraj za 5 milijonov dolarjev blaga, kar je za 10% manj kot v enakem obdobju lanskega leta. Največje povečanje vrednosti izvoza beležijo Elementi za odpravo motenj in sicer za 64 %. Izvoz na konvertibilno področje je bil dosežen v višini 4,4 milijone dolarjev in je za 36 % višji kot v lanskem obdobju. Tudi izvoz na konvertibilno področje je najbolj porasel v Elementih za odpravo motenj. Izvoz na klirinško področje je bistveno nižji kot v lanskem enakem obdobju, saj je delovni kolektiv v letošnjem p.- >i!etju realiziral le 23 % klirinškega izvoza, dosežen» ga v lanskem prvem polletju. Kazalci o gibanju izvoza ne upoštevajo sprememb v valutnih razmerjih, ker bi sicer zabeležili bistveno slabše rezultate. Zmanjšanje povpraševanja na domačem trgu in nadaljnji ukrepi omejevanja domače porabe „silijo" semiške delavce, da vztrajajo na tujih trgih, kajti to je edini način za kvalitetno povečanje proizvodnje, poleg tega pa je izvoz nujen pogoj za normalno oskrbo z uvoznim materialom, za dvig kvalitete in dvig konkurenčne sposobnosti gospodarstava. Glede na dejstvo, da delovna organizacija vseh proizvodov ne more plasirati na tuje tržišče, je prestrukturiranje proizvodnje postalo čedalje večja nujnost. Vendar ta proces poleka bolj na podlagi prerazporeditve človeških zmogljivosti, manj'pa na podlagi novih naložb. Glede na to, da v semiški Iskri nimajo zadosti lastne akumulacije, menijo, da je edina prava pot povečanje izvoza z vzpostavljanjem trdnejših poslovnih vezi s tujimi partnerji. Manjši uvoz V prvem polletju so semiški Iskraši uvozili skoraj za tri milijone dolarjev blaga, kar pomeni realizacijo letnega piana uvoza v višini 48 %. V primerjavi z lanskim obdobjem so uvozili za sedem odstotkov manj blaga. Spremenjena struktura proizvodnje se odraža na manjših potrebah po uvoznem materialu. Stopnja pokritja uvoza s konvertibilnega področja z izvozom na konvertibilno področje se je občutno izboljšala. Povprečrt* j, < t si» todek: okrog 440 ir < ' V Semiču je bilo ob koncu prvega polletja zaposlenih 1706 delavcev, kar pomeni, da so dodatno zaposlili štiri delavce v primerjavi z lanskim enakim obdobjem. Znotraj temeljnih organizacij se je število zaposlenih spreminjalo in sicer povečalo v Elementih za odpravo motenj na račun zmanjšanja števila zaposlenih v Energetskih kondenzatorjih in Mehanskih delih in napravah. Delež produktivnega časa se je v tem obdobju zniževal, povečeval pa se je delež bolniške in plačanih odsotnosti. Povprečni mesečni neto osebni dohodek je dosegel višino 439.597 dinarjev in je za 159 % višji kot v polletju 1987. 186 VIJESTI IZ SVIJETA Research Indicates Commercial Uses for Ceramic Superconductors by 1991. Imminent quantum leaps in ceramic superconductor development will cause commercial applications to appear within the next three years, states research for Gorham Advanced Materials Institute (GAMI), Groham, Maine. „Researchers are not the verge of achieving a number of quantum jumps in transition temperature, critical current density, and fabrication technology that will permit commercialization by the early 1990s,,, explained GAMI President Dr. Andrew C. Nyce bases his information on part of GAMI,s ongoing, multiclient study, „The Superconducting Ceramics Industry: 1987-2000,,, wich evaluates the potential use of high transistion temperature ceramic superconductors in applications such as magnets, power transistion, fusion power, energy storage, magnetohydrodynamics, and motors and generators. Nyce belives today's ceramic superconductor research cannot be judged according to any set timetable. „The rate of discovery has been a function of Edisonian experimentation, scientific judgment, and plain old-fashioned good luck. In the absence of a theory placing a limit on transition temperature and critical current density, literally an-tything is possible. Consequantly, the growing pessimism now being felt in the industry simply is not justified," he stressed. The study is available to GAMI clients. For information, contact Dr. Andrew C. Nyce, president, Gorham Advanced Materials Institute, P.O. Box 250, Gorham, Maine 04038; telephone: 207/892-5445. Tektronix and Mentor Graphics Ally Tektronix, Inc., an electronic product and systems manufacturer, and Mentor Graphics Corp., which designs, manufacturers, markets, and services EDA systems, recently linked their electronic design and test talents. Both Beaverton, Oregon firms signed a product development and marketing agreement, and Tektronix, which is exiting the CAE systems business, agreed to sell Mentor Graphics design technologies from its CAE Systems Division, along with its Computer-Aided Software Engineering Division, for $5 milion. Tektronix also recently established the new Design and Test integration Division (DTID), which will develop products to link design simulation, prototype verification, and manufacturing test for ASICs and PCBs, which continues work initiated by the company's CAE Systems Division. Tektronix and Mentor Graphics will cooperate to make DTID's products compatible with Mentor's CAE offerings. „This partnership promotes a tighter strategic focus on Tektronix test and measurement strengths and signifies an important step toward improved profitability and revenue growth," explained David P. Friedley, president and chief executive officer of Tektronix. Povzeto iz HYBRID CIRCUIT TECHNOLOGY Electronic systems content per car in Europe S Per Car 1000 800 400 Driver Interface Comfort and Convenience Power and Signal Distribution Chassis Electronics Powertram Electronics "TSV J/ÎW ¿AakiÎ ¿i F* *. * " - «] 1987 1995 „International Management" (septembar 1988.) predvida brzi porast elektronike u europskim automobil Ima. U vezi s tim postavljaju se dva pitanja: 1. Odnosi Ii se prognoza i na jugoslovensku automo-bilsku industriju? 2. Da li če jugoslovenska industrija elektronič-kih elemenata imati neki udjel u toj elektronici? 187 Študijski dan MIKROELEKTRONIKA IN DRUŽBA Vabimo vas, da se udeležite študijskega dneva (WORK shop), ki ga organizirata MIDEM in „Center" Gospodarske zbornice Slovenije. Študijski dan je namenjen kritičnemu, strokovnemu, ekonomskemu in družbenemu pogledu na povezavo mikroelektronike z modernimi visokimi tehnologijami in medsebojnemu vplivu družbe. Pri tem bo osvetlitev stanja v svetu služilo samo za uvod v problematiko, težišče predavanj, prispevkov in razprave pa bo o naših jugoslovanskih razmerah. Sedem povabljenih referentov bo predavalo o različnih aspektih vpliva mikroelektronike na druge visoke tehnologije in njihov vpliv na razvoj družbenih in ekonomskih odnosov danes in v bodočnosti. V predvideni poldrugo uro dolgi razpravi udeležencev pričakujemo vaš osebni prispevek, ki je lahko vnaprej pripravljeno petminutno predavanje o problematiki, ki nI eksplicitno zajeta v povabljenih predavanjih, oz. o vaših Izkušnjah in pogledih na tematiko mikroelektronike in družbenih procesov v Jugoslaviji. Na študijskem dnevu pričakujemo udeležence iz krogov jugoslovanskih vodilnih gospodarstvenikov, politikov, ekonomistov, profesorjev, družbenih in gospodarskih planerjev, novinarjev in vseh tistih, ki jim usoda jugoslovanskega gospodarskega prestrukturiranja in razvoj družbe ni nepomembna, niso pa še imeli priložnosti temeljito spoznati karakteristike mikroelektronike in njenega direktnega ter indlrektnega vpliva na družbene odnose. Pričakujemo tudi odziv tistih strokovnjakov s področja visokih tehnologij, ki lahko s svojim prispevkom vplivajo na ustvarjanje potrebnega širšega družbenega mnenja o smereh delovanja jugoslovanskega vodstva, ki naj deželo popelje v smeri naprednega 21. stoletja. SPLOŠNI PODATKI Študijski dan bomo organizirali v prostorih protokolarnega objekta Izvršnega sveta Slovenije v prekrasnem okolju Brda pri Kranju, 11. oktobra 1988. Ker je vstop na objekt omejen, mora biti vnaprej prijavljen, zato je skrajni rok prijave za udeležbo 9. oktober. Hoteli v Ljubljani in okolici po razstavi Sodobna elektronika niso več tako močno zasedeni, vendar priporočamo pravočasno rezervacijo direktno na upravo želenega hotela. Za udeležence, ki se bodo prijavili na tajništvo pred 1. oktobrom in so zainteresirani za prevoz iz Ljubljane ali Kranja bomo organizirali prevoz na Brdo. KOTIZACIJA Kotizacija, ki vključuje knjigo prispevkov, kavo v odmorih in kosilo, znaša 100.000 din in se vplačuje na žiro račun št.: 50101- 678-74701 MIDEM 61000 Ljubljana, Erjavčeva 15 z oznako MIKRO-DRUŽBA. V primeru plačanja po posvetu, proti izstavljenemu računu, kotizacija znaša 120.000 din. V prijavnici navedite način plačila. PROGRAM 8.00 PRIHOD IN SPREJEM UDELEŽENCEV 9.00 UVODNI POZDRAV 9.15 STANJE MIKROELEKTRONSKE PROIZVODNJE V SVETU IN JUGOSLAVIJI dr. R. ROČAK, pom.gl.dir. ISKRA MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana 9.45 MIKROELEKTRONIKA KONTRA MIKOELEKTRONIKA mag. M. MEKINDA, gl.dir. ISKRA -MIKROELEKTRONIKA, Ljubljana 10.15 ŠKOLOVANJE ZA MIKROELEKTRONIKU prof.dr. P. BII.JANOVIČ, ELEKTROTEHNIČKI FAKULTET, Zagreb 10.45- 11.00 ODMOR 11.00 MIKROELEKTRONIKA IN INOVACIJSKI PROCESI dr. I. BANIČ, INSTITUT EKONOMSKE FAKULTETE, Ljubljana 11.30 DRUŽBA IN VISOKE TEHNOLOGIJE E.M. PINTAR, namestnik predsednika KOMITEJA ZA RAZISKOVALNO DEJAVNOST IN TEHNOLOGIJO SR SLOVENIJE, Ljubljana 12.00- 14.00 OBED 14.00 INFORMATIKA I DRUŠTVO dr. V. SRIČA, PREDSJEDNIK KOMITETA ZA NAUKU, TEHNOLOGIJU I INFORMATIKU SR HRVATSKE, Zagreb 14.30 AUTOMATIZACIJA I DRUŠTVO D. JURJEVEC, PRIVREDNA KOMORA JUGOSLAVIJE, Beograd 15.00 -16.30 KRATKI PRISPEVKI IN DISKUSIJA dr. Rudi Ročak Predsednik društva MIDEM HOECHST and its subsidiaries are presenting in cooperation with Midem and Jugohemija, Beograd, Ljubljana branch office, on October 12th, 1988 in Club Delegatov, Ljubljana, from 7.45 am to 4.00pm, Symposium: „Hoechst, Partner for the Electronics Industry of Yugoslavia Our experts present: 1. Hoechst chemicals for electronics 2. Wacker-Chemitronic, a leading supplier of Si-wafers 3. *Ozatec Dry Film Photoresists for the PCB-industry 4. Process chemicals for IC-manufacturing 5. Gases for the electronics industry 6. *Frigen solvents for cleaning of PCBs and application of *Hostinert-perfluorinated liquids in the electronics industry. 7. Ringsdorff Werke products for the semiconductor technology We would very much appreciate your attending the meeting. Please return attached reply card to:* * Hoechst AG Predstavnjštvo u Jugoslaviji Generala Ždanova YU-11000 Beograd We are looking forward to seeing you at the meeting in Ljubljana. Prosimo za prijavo na DRUŠTVO MIDEM, Titova 50 ali na naslov HOECHST.