Probability of recombination and oxidation of O atoms on a-C:H
Verjetnost za rekombinacijo in oksidacijo za atome kisika na površini a-C:H

angleški

2011

letnik 45, številka 3

amorfni ogljik   plazma    kisik    rekombinacija

Inštitut za kovinske materiale in tehnologije
(Obvezni izvod spletne publikacije)

Pri iskanju trajnostnega energijskega vira za prihodnje generacije ne smemo prezreti termonuklearne fuzije. Ena od najpomembnejših težav sodobnih in prihodnjih fuzijskih naprav je nalaganje amorfnih hidrogeniziranih ogljikovih nanosov (a-C:H), ki jih je treba redno odstranjevati. Primeren kandidat za metodo čiščenja se ponuja odstranjevanje a-C:H z atomskim kisikom. Učinkovitost te metode bo odvisna od učinkovitosti dotoka atomskega kisika k površini. Ta pa bo odvisna od izgub atomov na stenah rekatorja, v katerih je največji delež rekombinacija. Izvedli smo eksperiment z namenom izmeriti rekombinacijski koeficient a-C:H za nevtralne kisikove atome. Vir atomskega kisika je bila induktivno sklopljena RF-razelektritev v čistem kisiku. Gostote atomskega kisika smo merili z nikljevo optično katalitično sondo. Vzorec a-C:H je bil pripravljen z razprševanjem grafitne tarče v atmosferi mešanice argona in acetilena s termionskim oblokom. Ugotovili smo, da je rekombinacijski koeficient reda velikosti 10-3. Nadalje smo ugotovili, da je med eksperimentom nastala erozija a-C:H-vzorca zaradi delovanja O-atomov. Z grobo oceno smo ugotovili, da je verjetnost za oksidacijo dva velikostna reda nižja od verjetnosti za rekombinacijo.

14.08.2012