Heterostruktura ZnSe-GaAs(001) je eden od najpomembnejših delov v modernih trdnih laserjih. Elektronske lastnosti na the heterovalenčnih mejnih plasteh so najverjetneje odvisne od sestave v neposredni okolici meje. Pokazali smo, da je mogoče nadzorovano spreminjati zamik valenčnega pasu na meji v območju od 0,4 do 1,2 eV. Te spremembe so dosegljive s spreminjanjem sestave atmosferemed rastjo kristalov. Okolje, bogato s selenom, privede do mejnih plasti s presežkom selena in nizke vrednosti nezveznosti valenčnega pasu. Okolje, bogato s cinkom, pa privede do mejnih plasti s presežkom cinka in nizke vrednosti nezveznosti valenčnega pasu.

Pravice

URN

URN:NBN:SI:doc-FIZDCVEX

COBISSID

13475623

Objavljeno

30.06.2011

Metapodatki

Citiranje

APA:

Bratina, Gvido (1996). Elektronske lastnosti mejnih plasti v heterostrukturah ZnSe/GaAs(001). Vakuumist, letnik 16, številka 4, str. 9-12. URN:NBN:SI:doc-FIZDCVEX from http://www.dlib.si

MLA:

Bratina, Gvido. "Elektronske lastnosti mejnih plasti v heterostrukturah ZnSe/GaAs(001)." Vakuumist letnik 16. številka 4 (1996) str. 9-12.
<http://www.dlib.si/?URN=URN:NBN:SI:doc-FIZDCVEX>

Vakuumist
1981-
(Zbirni zapis)

Elektronske lastnosti mejnih plasti v heterostrukturah ZnSe/GaAs(001) : ključ do modrega laserja?Electronic properties of ZnSe-GaAs(100) heterointerfaces : a key to the blue laser?

Elektronske lastnosti mejnih plasti v heterostrukturah ZnSe/GaAs(001) : ključ do modrega laserja?
Electronic properties of ZnSe-GaAs(100) heterointerfaces : a key to the blue laser?